Различный полупроводник
Cтраница 4
В табл. 13.1 приведены области длин волн, к которым оказываются наиболее чувствительными различные полупроводники. [46]
Отношения A / AR определены [ Crowell, Sze, 1966 а ] для различных полупроводников с характерными для них компонентами тензора эффективной массы. [48]
При более глубоком рассмотрении процессов в р-п переходе оказывается, что запирающий слой образуется в контакте различных полупроводников даже при отсутствии приложенного внешнего напряжения. В германии п имеется много полусвободных электронов ( основных носителей) и мало дырок. [50]
 |
Аналогия работы. [51] |
В последние годы эффект Пельтье был применен в домашних электрохолодильниках и комнатных кондиционерах с термопарами из различных полупроводников. [52]
Для сравнения приведем в табл. 1 излучательное время жизни тизл, характеризующее вероятность межзонной излучательной рекомендации в различных полупроводниках. [53]
Для сравнения приведем в табл. 1 излучательное время жизни тизл, характеризующее вероятность межзонной излучательной рекомбинации в различных полупроводниках. [54]
Для сравнения приведем в табл. 1 излучательное время жизни тизл, характеризующее вероятность межзонной излучательной рекомендации в различных полупроводниках. [55]
В настоящее время все большее распространение приобретают методы эпитаксиального - выращивания, позволяющие получить гетеропереходы - переходы на границе двух различных полупроводников. Гетеропереходы позволяют снизить плотность порогового тока более чем на порядок и получить непрерывный режим работы полупроводникового инжекционного лазера при комнатной температуре и резкое увеличение срока службы лазерных диодов. Гетеропереходы образуются на стыке полупроводников с с разной шириной запрещенной зоны с идентичными кристаллическими структурами и близкими значениями параметров кристаллических решеток, что обусловливает возникновение на границе гетеропереходов потенциального барьера и резкого скачка. [56]
Результаты высокотемпературных измерений коэффициента линейного термического расширения кристаллов Ge и Si ( L0 - длина образцов та же) изображены на рис. 1.20. Используя эти данные, сведения по теплоемкости Cv и значения параметров, представленных в табл. 1.9, авторы [696] по формуле (1.60) рассчитали зависимость у от приведенной температуры 7У60 ( рис. 1.21) для различных полупроводников. [57]
К электромашинным преобразователям относятся двигатель-генераторы, к электронным - приборы, в которых используется прохождение потока электронов внутри баллона с глубоким вакуумом ( разрежением), к газоразрядным - приборы, в которых в вакуумной части для облегчения прохождения тока используются ионы газа, заполняющего баллон, и к полупроводниковым - устройства, в которых используются физические свойства различных полупроводников. [58]
Поэтому изоляторы, характеризующиеся большой шириной запрещенной зоны ( и большой энергией активации электропроводности), не проводят ток даже при самых высоких температурах. Различные полупроводники хорошо проводят ток при нагреве до сравнительно небольшой тем пературы. Металлы проводят ток при любой температуре, так. [59]
Для полупроводников основную роль играет фактор изменения энергии активации, вызывающий изменение концентрации носителей тока. Поэтому у различных полупроводников одна и та же деформация может вызвать как увеличение, так и уменьшение электропроводности. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5