Получение - переход
Cтраница 1
Получение переходов методом сплавления предусматривает нагрев полупроводника и навески металла до температуры 500 - 600 С для германия и до температуры 800 С для кремния. Нагрев производят в специальных печах. [1]
Получение переходов от более темной краски к светлой в среднем прямоугольнике достигается постепенным добавлением в краску воды, а переход от светлого тона к темному в правом прямоугольнике - постепенным добавлением краски. [2]
 |
Интенсивность отказа диодов с различным пробивным напряжением за 1 000 ч работы при высокой температуре. [3] |
Для получения переходов и омических контактов применяют обычно не чистые металлы, а их сплавы друг с другом. Сплавы также могут быть причиной выхода прибора из строя. Применение, например, в качестве компонентов сплава галлия, висмута и некоторых других ведет к понижению температуры плавления сплава и ускорению диффузионных процессов, происходящих в них. Кроме того, целый ряд компонентов сплавов обнаруживает способность к выпаданию отдельных компонентов в самостоятельную фазу. Все это ведет к старению сплавов и ухудшению качества переходов и особенно омических контактов. [4]
После получения нулевых переходов конструируем маршрут ZQ ( 1 4 3 5 6 2 1), I ( ZQ) 63, и вершина с оценкой 64 отбрасывается. Для ее решения выполнено пять ветвлений и решено десять оценочных подзадач. [5]
 |
Конструкция точечного диода. [6] |
Для получения р-п перехода диод в процессе изготовления подвергают токовой формовке. В результате формовки тонкий слой полупроводника, примыкающий к острию, приобретает дырочную проводимость, а на границе между этим слоем и основной массой пластинки возникает р-п переход. Такая конструкция диода обеспечивает небольшую величину емкости р-п перехода ( не более 1 пФ), что позволяет эффективно использовать диод на высоких частотах. Однако малая площадь контакта между частями полупроводника с проводимостью типа п и р не позволяет рассеивать в области р-п перехода значительные мощности. Поэтому точечные диоды менее мощные, чем плоскостные, и не используются в выпрямителях, рассчитанных на большие напряжения и токи. Они применяются, главным образом, в схемах радиоприемной и измерительной аппаратуры, работающей на высоких частотах, а также в выпрямителях на напряжения не выше нескольких десятков вольт при токе порядка десятков миллиампер. [7]
Для получения хорошего перехода окраски необходимо присутствие ионов а ммония и сульфат-ионов, но если концентрация тех и других слишком велика и если титрование производят при комнатной температуре, то в зависимости от скорости титрования получаются колеблющиеся результаты. [8]
Для получения переходов малых размеров с применением электронной фотолитографии вместо процессов диффузии может быть использовано ионное легирование. С помощью элионной технологии можно обеспечить весьма малые размеры переходов ( разрешение примерно 0 01 мкм) [26]; при этом может быть достигнута плотность упаковки компонентов на пластине 109 комп. [9]
При получении мелких переходов с глубиной залегания в доли микрометра или для введения строго дозированного количества примеси, что особенно важно в производстве МДП-структур, для легирования используют метод ионной имплантации примеси с последующим термическим или лазерным отжигом. Часто применяют комбинацию ионной имплантации и диффузии. [10]
Сплавкой метод получения переходов основан на взаимодействии и распространении примесей между тзердой и жидкой фазами при кристаллизации полупроводника из сплава металл-полупроводник. При этом ь атоде сплавляют пластину полупроводника типа п с помещенной на ее поверхности таблеткой из акцептор-к н примеси или пластину полупроводника типа р с таблеткой донорной примеси. Для этого пластины полупроводника тщательно полируют и протравливают. [12]
 |
Образование р-п перехода точечно-контактным методом. [13] |
Описываемый метод получения переходов характеризуется электрохимическим травлением лунок в полупроводнике и осаждением в них металла. [14]
Диффузионный метод получения переходов широко используется в настоящее время в производстве полупроводниковых приборов. [15]
Страницы: 1 2 3 4