Получение - переход
Cтраница 2
Созданы способы получения гетерополитипных переходов на основе SiC, разрабатываются методы локальной эпитаксии и микропрофилирования поверхности слоев и объемных кристаллов этого материала. Таким образом, в ближайшем будущем возможно освоение карбида кремния в промышленном масштабе для создания уникальных приборов. [16]
Основными методами получения р-п переходов для выпрямительных диодов являются сплавление и диффузия. Пластинка кремния с переходом 2 припаивается к кристаллодержателю 4, являющемуся одновременно основанием корпуса. В диффузионных диодах переход образуется при высокой температуре диффузией примеси в кремний из атмосферы, содержащей пары примесного материала. [17]
 |
Конструкция кремниевого диода. [18] |
Основными методами получения р-п переходов для выпрямительных диодов являются сплавление и диффузия. Пластинка кремния с переходом припаивается к кристаллодаржателю, являющемуся одновременно основанием корпуса. К кристаллодержателю приваривается корпус со стеклянным изолятором, через который проходит вывод одного из электродов. В диффузионных диодах переход образуется при высокой температуре диффузией примеси в кремний. Конструкции диффузионных и сплавных выпрямительных диодов аналогичны. Маломощные диоды, обладающие относительно малыми габаритами и весом, имеют гибкие выводы, с помощью которых они монтируются в схемы. [19]
 |
Кольцевая структура туннельного диода. [20] |
Другим вариантом получения р-п переходов малой площади при сохранении механической прочности является метод проплавления тонкой сильнолегированной пленки полупроводникового материала [85], находящейся на высокоомной или полуизоляционной [86] подложке. [21]
Сравнение возможностей получения максимально резких концентрационных переходов хлоридным и силановым методами, проведенное в работах [ 4, 51, показало явное преимущество последнего. [22]
Выбор металлов для получения переходов на кремнии методом сплавления ограничен. [23]
Успешно осваивается метод получения р-п переходов путем легирования полупроводника необходимой примесью с помощью ионного пучка - метод ионного внедрения. [24]
Существует несколько технологий получения р-п переходов, среди которых наиболее распространена планарная, осуществляемая, например, в такой последовательности. На поверхности кремниевой пластины 2 типа п термическим способом получают тонкий ( около 1 мкм) слой / диоксида кремния SiCb ( рис. 29, а), который является отличным изолятором. [25]
При диффузионном методе получения р-п переходов кремниевую пластинку ( диск) с электронной проводимостью помещают в раствор азотнокислого алюминия и борной кислоты в спирте. Затем пластины сушат и помещают в открытую печь, где при температуре около 1 300 С в течение 8 - 10 ч происходит процесс диффузии алюминия и бора в кремниевый диск, чем создается слой кремния с проводимостью дырочного типа. После окончания диффузии и остывания диска один из / 7-слоев удаляется шлифовкой. По обеим сторонам электронно-дырочного перехода, полученного тем или иным способом в полупроводниковой лластине, будет разная концентрация электронов и дырок, что обусловливает его одностороннюю проводимость. [26]
Наиболее часто-употребляемым методом получения р-п переходов для лазерных диодов является диффузия примесей. Такая концентрация примесей, по-видимому, является оптимальной для получения лазерных диодов с низким уровнем порогового тока. Другими - донорными примесями в GaAs являются Se; Si; Ge; S. В качестве акцепторной примеси диффузанта обычно используется цинк. [27]
 |
Получение р-п перехода методом сплавления. [28] |
На рис. 8.11 показано получение р-п перехода лутем сплавления я-германия с индием. [29]
В качестве диффузанта для получения р-п перехода используют алюминий, напыленный на горячие кремниевые пластины. Диффузию проводят в силитовых печах при температуре около 1300 С в течение нескольких десятков часов. В результате диффузии алюминий образует с двух сторон пластины слой р-типа проводимости. [30]
Страницы: 1 2 3 4