Получение - переход
Cтраница 4
 |
Конструкция кремниевого стабилитрона.| Вольтамперная характеристика кремниевого стабилитрона. [46] |
При изготовлении стабилитронов наиболее широко используются сплавной и диффузионно-сплавной методы получения р-п переходов. Исходным материалом при изготовлении стабилитрона служит пластинка кремния n - типа. В нее-вплавляется алюминий, являющийся акцепторной примесью для кремния. [47]
Наряду со сплавлением в настоящее время все большее значение начинает приобретать получение переходов диффузией примесей в полупроводник, находящийся в твердом состоянии. Диффузионный процесс может б ть более управляемым, чем другие возможные процессы получения переходов. [48]
 |
Типовые конструкции корпусов диодии с мощнинью рассеивания до.. [49] |
Конструктивное оформление корпусов диодов в основном определяется мощностью рассеивания и особенностями получения перехода и арматуры. [50]
В настоящее время перед промышленностью полупроводниковых приборов стоит задача улучшения методов получения переходов. [51]
Выше мы описали механизм образования р-п перехода методом сплавления, но для получения р-п перехода в реальных условиях необходимо учитывать очень многие факторы, усложняющие этот процесс. Речь идет о требованиях к чистоте сплавляемых материалов и окружающей среды и требованиях, предъявляемых к вплавляемым материалам, учитывающих работоспособность будущего прибора и взаимосвязь режимов вплавления с предыдущими и последующими операциями. [52]
В настоящее время разработано и применяется в промышленности большое количество установок и приспособлений для получения р-п переходов на полупроводниковых материалах. [53]
Следует заметить, что получение омических контактов является задачей не менее важной, чем получение р-п переходов. Они используются для присоединения выводов из областей полупроводника. Для изготовления омических контактов часто используют свикцово-оловянистый припой, алюминий ( для кремния) или золото. Добавление к ним той или иной примеси позволяет получать контакты как с электронными, так и с дырочными полупроводниками. [54]
Когда диффузия проводится при определенной постоянной температуре, удобно определять время t, необходимое для получения перехода на заданном расстоянии от поверхности полупроводника, по результатам предварительного ( пробного) эксперимента. [55]
На рис. П-2 изображена пластинка кремния р-типа, в которую с противоположных сторон введены примеси - типа для получения р-п переходов. Нас интересует проводимость канала р-типа между двумя областями я-типа. Предположим, что ток, текущий между истоком и стоком, ограничен каналом р-типа. [56]
При создании варикапов, предназначенных для перестройки резонансной частоты контура в широких пределах, обычно используется сплавной метод получения р-п перехода. Когда допускается меньшая крутизна вольтфарадной характеристики, как правило, применяют диффузионный метод получения р-п перехода. [57]
 |
Зависимость распределения концентрации примеси по объему полупроводниковой пластинки. [58] |
Метод диффузии с большим успехом используется как для изготовления транзисторных переходов, так и для изготовления диодов, особенно мощных. Получение переходов с большой площадью путем сплавления оказывается довольно сложным. [59]
Страницы: 1 2 3 4