Получение - переход
Cтраница 3
 |
Получение р-п перехода методом сплавления. [31] |
Рассмотрим кратко основные методы получения переходов. [32]
Технологическое оформление процесса диффузии для получения р-п переходов весьма разнообразно. [33]
Обычно на практике любой метод получения переходов представляет собой разновидность какого-либо из этих основных методов или сводится к их комбинации. [34]
Термообработку в силитовых печах используют для получения р-п переходов на кремнии при диффузии из рекристаллизо-ванного слоя, диффузии из стекловидных слоев, при бокс-методе и при разгонке диффузанта. В силитовых печах отжигают различные металлы, применяемые при производстве полупроводниковых приборов, и спекают металлостеклянные конст рукции корпусов приборов. [35]
В последние годы была освоена технология получения переходов металл - полупроводник со стабильными свойствами, что привело к появлению различных типов металлополупроводниковых диодов ( диодов Шоттки), обладающих рядом преимуществ. В качестве полупроводника в них обычно используется кремний, в качестве металла - молибден, алюминий, наносимые методом вакуумного испарения. [36]
Высокие электрические характеристики мощных диодов достигаются получением р-п переходов в кремнии путем диффузии. [37]
Следовательно, выбор защитного покрытия определяется технологией получения перехода и его конструктивным исполнением. [38]
В промышленном производстве наиболее распространена сейчас тех-нология получения вплашшх переходов. [39]
 |
Меза-структура сплавного диода. [40] |
Поэтому сейчас все более широко распространяются методы получения р-п переходов малой площади с использованием элементов планар-но-эпитаксиальной технологии. [41]
По этим же результатам часто корректируют технологические режимы получения переходов методом сплавления. [42]
На рис. 6 - 38 приведена схема установки для получения переходов из расплава. [43]
В настоящее время широкое применение находит также эпитаксиальный метод получения р-п переходов, состоящий в наращивании на полупроводниковой подложке с данным типом проводимости слоя полупроводника с противоположным знаком проводимости. [44]
С целью снижения сопротивления базы и улучшения частотных свойств для получения переходов используют пластинки с градиентом примесей, направленным так, что создается поле, ускоряющее движение носителей от эмиттера к коллектору. [45]
Страницы: 1 2 3 4