Получение - твердый раствор
Cтраница 5
 |
Схема аппаратуры для жидкофазной эпитаксии. [61] |
Суть первого состоит во внедрении, например, акцептора ( цинка) из газовой фазы в поверхность монокристаллической подложки с проводимостью re - типа. В настоящее время диффузию не используют как самостоятельный метод легирования, а применяют для изготовления светодиодов только в сочетании с эпитаксиальнымп методами. Последние заключаются в наращивании слоя вещества с проводимостью, например р-типа, на подложку ( или предварительно выращенный на ней слой) с проводимостью га-типа. Для этого используют кристаллизацию вещества как из газовой, так и из жидкой фазы. Газофазная эпитаксия служит в настоящее время для получения твердых растворов типа Ga A-As P и Iiix - xGa P, а жидкофазная - для выращивания GaP и Al - Ga As. [62]
Страницы: 1 2 3 4 5