Cтраница 1
Деформационный потенциал по абсолютной величине численно равен деформационному искажению уровня ф ерми ( до его выравнивания) и в конечном итоге характеризует изменение энергии электронов проводимости, от которой может зависеть работа выхода электрона. [1]
Деформационный потенциал по абсолютной величине численно равен деформационному искажению уровня Ферми ( до его выравнивания) и в конечном итоге характеризует изменение энергии электронов проводимости, от которой может зависеть работа выхода электрона. [2]
Деформационные потенциалы b и d определяют расщепление четырехкратно вырожденных в точке Г валентных зон с J 3 / 2 при одноосном давлении вдоль направлений [100] и [111] соответственно. Хотя выражение (3.23) было получено для статической однородной деформации, разумно предположить, что этот гамильтониан и деформационные потенциалы справедливы также для длинноволновых акустических фононов. [3]
Сдвиговые деформационные потенциалы 6 и d для валентных зон As ( или As) в полупроводниках типа цинковой обманки ( или алмаза) также могут быть вычислены в модели сильной связи. [4]
Деформационные потенциалы упругой деформации являются тензорами второго ранга и, следовательно, имеют отличные от нуля компоненты для кристаллов есех классов. В кристаллах с Центром инверсии деформационные потенциалы D oni) ( a, p) будут иметь отличные от нуля компоненты только для четных фононов. [5]
Вычисление сдвигового деформационного потенциала d усложняется вследствие следующих соображений. [6]
По деформационному потенциалу, характеризуемому разностью свободных деформаций компонентов конгломератной структуры бетона, вторым по значимости фактором после усадки, обусловливающим развитие собственных напряжений в структуре бетона, является температурный фактор. [7]
Они определили деформационные потенциалы, обусловленные расщеплением основного состояния акцептора 15Гв и параметра гамильтониана спина для этого же состояния. [8]
Взаимодействие через деформационный потенциал ослабляется по мере уменьшения частоты акустич. ГГц становится пренебрежимо малым по сравнению с пьезоэлектрич. [9]
Знаки констант деформационного потенциала таковы [98] что, в областях сжатия и растяжения дно зоны проводимости Sc образует соответственно потенциальные горб и яму для электронов. Связанные состояния, заполнение которых электронами обусловливает образование потенциального барьера электростатического происхождения, расположены, таким образом, в области растяжения. [10]
Знаки констант деформационного потенциала таковы [98] что, в областях сжатия и растяжения дно зоны проводимости с образует соответственно потенциальные горб и яму для электронов. Связанные состояния, заполнение которых электронами обусловливает образование потенциального барьера электростатического происхождения, расположены, таким образом, в области растяжения. [11]
В принципе этот деформационный потенциал можно определить, измеряя смещение Enk при гидростатическом давлении. На практике существует очень мало экспериментальных методов прямого измерения объемного деформационного потенциала. Часто для его определения используют оптические измерения в образцах, подвергнутых гидростатическому давлению. В этих оптических экспериментах обычно измеряется только разность энергий между двумя зонными экстремумами. В результате находят лишь относительные объемные деформационные потенциалы между двумя зонными экстремумами, в то время как в (3.20) входят абсолютны ные значения. [12]
Здесь Dij называется междолинным деформационным потенциалом i и j означают соответственно, начальную и конечную долину в процессе рассеяния; п и k - индекс электронной зоны и волновой вектор электрона соответственно. [13]
В TTF - TCNQ деформационный потенциал имеет высокое значение - 0 2 эВ - А 1, одинаковое для обоих типов стопок. [14]
Методы экспериментального определения констант деформационного потенциала основаны на использовании статической или динамической деформации решетки, приводящей к изменению положения различных уровней энергии, которое и регистрируют каким-либо способом. Конкретные значения констант деформационных потенциалов в с - и у-зонах Ge и Si, а также название методов, при помощи которых эти константы получены, приведены в табл. 1.20 1.21 и 1.22. Значение В 16 4 0 2 эВ найдено при использовании метода [1102], исключающего необходимость проводить измерения изменений р в одноосно деформированном кристалле в направлении, перпендикулярном оси деформации. [15]