Деформационный потенциал

Cтраница 4

Методы экспериментального определения констант деформационного потенциала основаны на использовании статической или динамической деформации решетки, приводящей к изменению положения различных уровней энергии, которое и регистрируют каким-либо способом. Конкретные значения констант деформационных потенциалов в с - и у-зонах Ge и Si, а также название методов, при помощи которых эти константы получены, приведены в табл. 1.20 1.21 и 1.22. Значение В 16 4 0 2 эВ найдено при использовании метода [1102], исключающего необходимость проводить измерения изменений р в одноосно деформированном кристалле в направлении, перпендикулярном оси деформации. [46]

Схематическая зависимость смещения uz и электростатического потенциала ф от z для для квантованных мод LOm ( га от 1 до 4 с kx y 0 в полярной сверхрешетке с. [47]

Если поляризации лазера и рассеянного света еь и es параллельны осям кристалла ( или ж, или /), LO рассеяние происходит при скрещенных поляризациях возбуждающего и рассеянного света. При вычислении матричного элемента деформационного потенциала электрон-фононного взаимодействия для четных т осцилляции uz в точности взаимоуничтожаются, и рассеяние остается запрещенным. [48]

Эта трудность не возникает при вычислении относительного объемного деформационного потенциала между двумя зонами, такими как s - подобная антисвязыва-ющая зона проводимости и р-подобная связывающая валентная зона. В этом случае легко вычислить деформационный потенциал в модели сильной связи. [49]

Резонансные про цессы последовательно повторяющегося двухфононного типа ( фиг. Чтобы получить соответствующие электрон-однофонон-яые или электрон-двухфононные деформационные потенциалы, важно различать, является ли данный двухфононный процесс процессом типа б или процессом типа в. Процессы обоих типов можно найти даже для одного и того же материала. Они очень сильны вблизи резонанса, В неполярных материалах они обусловлены деформационными потенциалами двух последовательно повторяющихся электрон-однофононных вершин [ 1.60]; они слабее, чем особенности, обусловленные фрелиховскнм взаимодействием. Эти особенности соответствуют процессам типа изображенного на фиг. Для частот рассеиваемых фотонов, соответствующих континууму электронных возбуждений, обычно можно найти фонои, для которого эти процессы сильно возрастают. Вследствие этого ожидается сильное изменение формы спектра двухфононного комбинационного рассеяния для процессов типа представленного на фиг. [50]

Деформационные потенциалы упругой деформации являются тензорами второго ранга и, следовательно, имеют отличные от нуля компоненты для кристаллов есех классов. В кристаллах с Центром инверсии деформационные потенциалы D oni) ( a, p) будут иметь отличные от нуля компоненты только для четных фононов. [51]

Лоудон в работе [2.7] отметил, что при вычислениях поляризуемости перехода для оптических фононов с q ж 0 необходимо рассмотреть два типа электрон-решеточных взаимодействий. Один из них - взаимодействие через деформационный потенциал, обусловленное модуляцией периодического потенциала кристалла относительным смещением атомов при колебаниях решетки. [52]

Страницы: 1 2 3 4