Деформационный потенциал

Cтраница 3

В задачах 3.11 и 3.12 с помощью модели сильной связи производятся вычисления деформационных потенциалов для кристаллов типа алмаза и цинковой обманки в двух крайних случаях. В задаче 3.11 предполагается, что кристалл является непрерывной средой и смещения атомов описываются макроскопическим тензором деформаций. В задаче 3.12 учитывается атомная структура кристалла. Тот факт, что кристалл образуется из двух наборов атомов, расположенных в двух подрешетках, наводит на мысль, что можно сдвинуть эти две подрешетки друг относительно друга таким образом, чтобы симметрия примитивной ячейки кристалла не изменилась. Для структур алмаза и цинковой обманки это происходит, когда два атома в примитивной ячейке смещаются друг относительно друга вдоль объемной диагонали ГЦК решетки. Такие микроскопические относительные смещения подрешеток кристалла не могут быть описаны макроскопическим тензором деформаций и называются внутренней деформацией. [31]

Подвижность носителей в соединениях типа AII5BV. [32]

В соединениях АП В полярное рассеяние носителей тока на оптических колебаниях решетки преобладает над рассеянием не деформационном потенциале. [33]

Здесь е ( р) - закон дисперсии электронов; Ktk ( p) - компоненты тензора деформационного потенциала; ф и А - скалярный и векторный потенциалы электромагнитного поля ( в сопутствующей системе); т0 - масса свободного электрона. [34]

Мы упоминали о том, что в полярных материалах выражение для поперечного сечения рассеяния LO-фононами, кроме члена с деформационным потенциалом, определяющим рассеяние ГО-фононами, содержит член, обусловленный фрелиховским взаимодействием через линейный электрооптический эффект. Внутризонные воздействия электрического поля на возбуждаемые электронно-дырочные пары также важны для определения вероятности рассеяния / 0-фоно-нами вблизи резонанса. [35]

Исследование полупроводников под высоким давлением позволяет получить большое количество новой информации о структуре зон ( особенно вырожденных), о деформационных потенциалах [352, 353], об экситонных состояниях [354, 355] и примесных центрах. [36]

Аг, отсчитывается от точки X, k u 0 15 ( 2ir / a), S u - константа деформационного потенциала, а е23 - относительная сдвиговая деформация. [37]

Это взаимодействие выражает тот факт, что деформация решетки изменяет поле, в котором движется электрон; это изменение поля называют деформационным потенциалом. [38]

Резонансную часть электрооптического тензора комбинационного рассеяния, описывающего трехзонный вклад, можно также вычислить, используя выражения (2.101) и (2.102) и заменяя коэффициенты деформационного потенциала множителем, пропорциональным междузонным матричным элементам оператора импульса. В результате этого частотная зависимость резонансной части & ( ffl, ) будет такой же, как и для резонансных вкладов в тензор комбинационного рассеяния, обусловленный смещением атомов из положения равновесия и описывающий трехзонный вклад. [39]

В общем случае, если не учитывать симметрию кристалла, для описания сдвига энергии невырожденного электронного состояния в точке k необходимо знать шесть деформационных потенциалов. Их число может быть значительно уменьшено при учете симметрии. Вследствие этого для описания сдвига энергии заданного невырожденного электронного состояния под действием деформации достаточно не более трех деформационных потенциалов. Поскольку все эквивалентные долины [100] в Si симметричны по отношению к одноосному давлению вдоль [111], такое давление не может снять вырождение этих долин. Следовательно, для описания действия деформации на долины [100] в зоне проводимости Si достаточно только двух деформационных потенциалов. [40]

Следовательно, интенсивности рассеяния света LO - и ГО-фононами для конечных k различны; они определяются двумя независимыми параметрами: тензором комбинационного рассеяния света, определяемым деформационным потенциалом, и тензором, связанным с электрооптическим эффектом. Этот факт был установлен в работе Гречко и Овандера [1.85], а также в работе Лоудона [1.83], хотя функциональные зависимости электрооптических вкладов в тензор комбинационного рассеяния света вблизи резонанса, полученные в работах [1.83, 1.85], находятся в противоречии друг е другом. [41]

В этом случае одноосное давление приводит к расщеплению вырожденных зон тяжелых и легких дырок в центре зоны Бриллюэна ( см. задачу 3.8 в), и зоны становятся параболическими. Деформационный потенциал b имеет такой знак, что состояние Jz 1 / 2 ( обладающее теперь большей массой. [42]

Ус - объем кристалла; v - фопокная мода с волновым вектором q; bv и bj - соответственно операторы уничтожения и рождения фонона v; 9 ( v, г) - функция координаты электрона, зависящая от волнового вектора и поляризации фонона, ее свойства в значительной степени определяются пространственной протяженностью взаимодействия. В приближении деформационного потенциала О OOP взаимодействие является короткодействующим. [43]

Результаты, получаемые этим методом, в случае простой зонной структуры электронов совпадают с теми, какие получаются из гипотезы деформируемых ионов ( § 3) или гипотезы жестких ионов Нордгейма. Однако теория деформационного потенциала обладает рядом преимуществ, главнейшее. [44]

Пьезоэлектрическая постоянная rf33, диэлектрическая Проницаемость при постоянном токе ЕЗ и упругая постоянная с3з характеризуют в данном случае продольные акустические ( LA ] фо-ноны, распространяющиеся вдоль оси с. При значении деформационного потенциала порядка X - 10 эВ Kdp - 10 - 2 Гре, и, следовательно, пьезоэлектрическая связь является доминирующей. [45]

Страницы: 1 2 3 4