Деформационный потенциал
Cтраница 2
Отметим, что в (3.41) междолинный деформационный потенциал имеет размерность не энергии, а энергии, деленной на единицу длины. [16]
Ег - так называемая константа деформационного потенциала, определяющая сдвиг дна зоны проводимости ( для электронов) или сдвиг верхнего края заполненной зоны для дырок при однородной деформации кристалла. Эта константа с точностью до коэффициента равна так называемой константе взаимодействия, характеризующей взаимодействие электронов с фоно-нами. [17]
В табл. 5.1 помещены значения межзонного деформационного потенциала, рассчитанные Митчелом и др. [112] по формуле (4.5) для деформации и наблюдавшегося изменения ширины запрещенной зоны. [18]
 |
Частотная зависимость относительного затухания Г для продольного звука в одномерном металле. [19] |
Тензор Д А имеет смысл примесного деформационного потенциала и играет в Ы - проводнике такую же роль, как и тензор Кц, в трехмерном случае. [20]
Однако при этом следует также заменить деформационные потенциалы b и d на Ь и d, поскольку выражения для индуцированного деформацией расщеп ления будут различными в этих двух случаях. [21]
Существует сравнительно мало экспериментальных методов определения деформационных потенциалов оптических фононов в полупроводниках. Для Ge и GaAs с помощью рамановского рассеяния были найдены значения о. [22]
Эта трудность не возникает при вычислении относительного объемного деформационного потенциала между двумя зонами, такими как s - подобная антисвязыва-ющая зона проводимости и р-подобная связывающая валентная зона. В этом случае легко вычислить деформационный потенциал в модели сильной связи. [23]
В табл. 3.2 приведены соотношения между деформационными потенциалами Sj и деформационными потенциалами S и SM в кубических полупроводниках для k вдоль направлений высокой симметрии. [24]
В табл. 11.61 - 62 приведены значения констант деформационного потенциала для соединений А В р - и п-типа. [25]
В частности, данная теория не учитывает связи между деформационным потенциалом и эффективной массой, которая, несомненно, существует. Такая зависимость может быть очень сильной. [26]
Возникает вопрос: действительно ли первоначально выбранные в [1097] константы деформационного потенциала, совпадающие с самими первыми их значениями [1439], наиболее близки к истинным. Необходимость получения ответа на этот вопрос диктовалась также огромным разбросом значений В и Н, который легко заменить в табл. 1.20, построенной по данным последних 16 лет. Это послужило стимулом к разработке точного метода определения констант деформационного потенциала [45], выгодно отличающегося от других методов отказом от измерения электропроводности одноосно нагруженных кристаллов в направлении, перпендикулярном оси деформации, что в прямых методах определения констант является основным источником ошибок. Жесткую проверку на степень надежности проходят, как оказалось [991], лишь константы Еи и Sj, полученные в [45], и очень близкие к ним значения, принятые в работе [1097], тогда как с другими парами констант опытные данные по магнитопьезосопротивле-нию удовлетворительно не могут быть описаны. [27]
В табл. 3.2 приведены соотношения между деформационными потенциалами Sj и деформационными потенциалами S и SM в кубических полупроводниках для k вдоль направлений высокой симметрии. [28]
Смещение г атомов в решетке ( параллельно вектору) управляет деформационным потенциалом рассеяния. В общем случае г непараллелен напряженности электрического поля Е ( параллельного k), которое определяет рассеяние на колебаниях полярных решеток. [29]
Как отмечено выше, в оптических экспериментах при гидростатическом давлении измеряются только относительные объемные деформационные потенциалы а ( Ас) a ( A5v) между зоной проводимости и валентной зоной. [30]
Страницы: 1 2 3 4