Поток - неосновной носитель
Cтраница 1
 |
Вольтамперная характеристика полупроводникового диода средней мощности. масштабы тока и напряжения для прямого и обратного направления различны. [1] |
Потоки неосновных носителей, примерно такие же, как и при отсутствии внешнего поля, создают слабый ток через переход. Приложенное напряжение и ток в этом случае называют обратными. [2]
Потоки неосновных носителей заряда ( 3 и 4), как установлено в предыдущем параграфе, не зависят от высоты потенциального барьера и сохраняются неизменными. [3]
 |
Вольтамперная характеристика полупроводникового диода средней мощности. масштабы тока и напряжения для прямого и обратного направления различны. [4] |
Встречные же потоки неосновных носителей почти не изменятся. Приложенное напряжение и ток в этом случае называются прямы-м и. Сила тока при увеличении напряжения возрастает очень быстро ( рис. 24.7), и закон Ома здесь совершенно неприменим. [5]
 |
Конструкция фототранзистора ФТ-1.| Энергетическая диаграмма фототранзистора без освещения ( а и при освещении ( б. [6] |
В результате увеличивается поток неосновных носителей, инжектируемых в базу из эмиттерной области. Образование в базовой области ( при ее освещении) дополнительного объемного заряда неравновесными основными носителями и является тем фактором, который обеспечивает в фототранзисторе усиление фототока. [7]
 |
Конструкция фототранзистора ФТ-1. [8] |
В результате увеличивается поток неосновных носителей, инжектируемых в базу из эмиттерной области. [9]
В то же время потоки неосновных носителей, независящие от qVK [ см. (8.15) и (8.16) 1 остаются неизменными. [10]
 |
Процессы в яр-переходе при наличии обратного напряжения. потоки носителей заряда ( а. потенциальная диаграмма ( б. распределение концентрации электронов и дырок ( в. распределение токов ( г. [11] |
Поскольку в рассматриваемом случае потоки неосновных носителей заряда преобладают над потоками основных носителей, в системе имеет место экстракция дырок из я-области и электронов из / - области, что ведет к уменьшению концентрации дырок в сечении хп и электронов в сечении Хр ( рис. 10.50) со всеми вытекающими отсюда последствиями ( см. разд. [12]
Следовательно, при повышении температуры поток неосновных носителей через переход ( ток проводимости) резко возрастет. Рост тока проводимости приводит к понижению потенциального барьера из-за частичной компенсации зарядов ионизированных атомов по обе стороны границы между р - и л-областями. Соответственно увеличивается поток основных носителей и динамическое равновесие токов сохраняется. [13]
В этом случае через переход проходят только потоки неосновных носителей 3 и 4, не зависящие, как отмечено выше, от высоты потенциального барьера. [14]
 |
Зависимость коэффициента усиления по току от тока эмиттера для типового p - n - р сплавного плоскостного триода. [15] |
Страницы: 1 2 3 4 5