Поток - неосновной носитель
Cтраница 3
При обратном смещении ( [ / 0) потоки основных носителей уменьшаются практически до нуля, тогда как потоки неосновных носителей не изменяются. [31]
Однако дробовые шумы идеального диода незначительны, так как в настоящее время считается, что шумовые свойства идеальных диодов определяются тепловыми флуктуациями потока неосновных носителей и актами рекомбинации и генерации носителей в объеме областей базы и эмиттера. [32]
Эмиттерный переход открыт, а коллекторный переход закрыт, в этом режиме через эмиттерный переход протекают потоки основных носителей, а через коллекторный переход - потоки неосновных носителей. Активный режим работы является основным режимом работы транзистора. [33]
Открытым является коллекторный переход, а эмиттерный переход закрыт, поэтому через коллекторный переход протекают потоки основных носителей, а через эмит терный переход - потоки неосновных носителей. [34]
Увеличение высоты потенциального барьера ведет к уменьшению потоков основных носителей 1 и 2 ( чем выше барьер, тем меньше электронов способно преодолеть его), а потоки неосновных носителей 3 и 4 остаются неизменными. [35]
Поток основных носителей состоит из тех носителей, которые попадают в переход за счет их случайного движения в объеме материала и обладают достаточной энергией, чтобы пересечь его; тогда как поток неосновных носителей в противоположном направлении состоит из всех неосновных носителей, которые попадают на переход за счет их случайного движения в объеме материала. Для определения IF и / д можно использовать аргументацию аналогичную той, которая используется в кинетической теории газов для вычисления давления идеального газа. [36]
По мере перехода основных носителей заряда это поле усиливается и возрастает разность потенциалов между полупроводниками, вследствие чего потоки основных носителей уменьшаются. Потоки неосновных носителей при этом не меняются, поскольку они пропорциональны концентрации неосновных носителей. Изменение разности потенциалов не влияет на концентрацию неосновных носителей, а следовательно, и на потоки неосновных носителей. Подобный процесс происходит до тех пор, пока потоки основных и неосновных носителей заряда не станут уравновешивать друг друга. [37]
Если внешнее напряжение U уве личивает высоту барьера ( на / j - область подан минус. Потоки неосновных носителей определяются скоростью тепловой генерации электронно-дырочных пар, равной в ед. [38]
Поле в р - п-переходе будет ослаблено и диффузионные потоки основных носителей ( дырок из р-области и электронов из n - области) устремятся через переход. Встречные же потоки неосновных носителей почти не изменятся. [39]
 |
Включение полупроводникового диода в электрическую цепь. [40] |
Суммарное поле на границе областей р и п увеличится, и поток основных носителей зарядов через границу уменьшится. Следовательно, поток неосновных носителей зарядов будет превышать поток основных носителей, и через диод будет проходить ток, определяемый дрейфом неосновных носителей зарядов. [41]
Под действием напряжения источника, включенного в непроводящем направлении фотодиода, при отсутствии освещения через фотодиод будет протекать очень небольшой темновой ток, соответствующий обратному току вентиля. При освещении фотодиода поток неосновных носителей через p - n - переход возрастает. Увеличивается ток во внешней цепи, определяемый в этом случае величиной напряжения внешнего источника и величиной светового потока. Фотодиод работает в режиме фотопреобразователя. [42]
Поэтому у диода проводимость практически отсутствует и через переход могут проходить только неосновные носители зарядов, которые всегда содержатся в полупроводнике. Вследствие этого возникает поток неосновных носителей зарядов, который называют обратным током. Одновременно расширяется освобожденная от носителей зарядов граничная зона, и благодаря этому емкость диода получается тем меньше, чем больше приложенное к нему напряжение. [43]
При использовании фотодиода с внешним источником энергии Ец его включают в непроводящем направлении, В этом случае, когда поток Ф 0, под действием внешнего источника энергии через прибор будет протекать темнотой ток, соответствующий обратному току вентиля, а его вольтамперная характеристика ( рис. 222, д) - будет характеристикой полупроводникового вентиля. При освещении фотодиода возрастает поток неосновных носителей, а следовательно, увеличивается во внешней цепи ток. [44]
 |
Начальная область характеристик ( а и графики, поясняющие ход характеристик ( б. [45] |
Страницы: 1 2 3 4 5