Поток - неосновной носитель
Cтраница 2
Это поле направлено так, что ускоряет поток неосновных носителей между эмщг-тером и коллектором, уменьшая этим возможность возникновения поверхностной рекомбинации в базовой области. Если происходит дальнейшее возрастание эмиттерного тока, концентрация неосновных носителей становится достаточно высокой, чтобы увеличить в значительной степени проводимость базовой области. Если концентрация неосковных носителей в базовой области увеличивается, часть эмиттерного тока, текущего к эмиттеру, обусловленная основными носителями в базовой области, увеличивается. Кроме того, значительно затрудняется диффузия неосновных носителей через эмиттерный переход в базовую область. Эффективность эмиттера, которая пропорциональна отношению тока основных носителей к полному току через эмиттерный переход, вследствие этого понижается и кб уменьшается с увеличением эмиттерного тока. [16]
Ломимо потоков основных носителей в р-п переходе существуют потоки неосновных носителей. [17]
 |
Вольт-амперная характеристика р-п перехода, включенного в прямом направлении, на низкой ( 3 и повышенной ( 3 температуре. [18] |
При понижении температуры происходит обратное явление: уменьшается поток неосновных носителей, что повышает потенциальный барьер и соответственно снижает ток основных носителей. [19]
Основным источником шума в биполярных транзисторах являются генерационно-рекомбинационные шумы потока неосновных носителей зарядов. [20]
Если же в области базы имеется поле, которое ускоряет поток неосновных носителей от эмиттера к коллектору ( такое поле называется ускоряющим), то время, необходимое неосновным носителям для пересечения области базы, сокращается. [21]
Сквозные составляющие диффузионных потоков снижаются при этом до нуля, а потоки неосновных носителей достигают предельных значений. Неосновные носители ииопределяют обратный ток в диоде. [22]
 |
Схема образования четырех составляющих тока через р - п переход.| Распределение объемного заряда при различной концентрации свободных носителей в материалах р - и п-типа. [23] |
Таким образом, при образовании слоя объемного заряда устанавливается динамическое равновесие потока неосновных носителей, возникших в результате тепловой генерации в сфере действия объемного заряда, и потока основных носителей, обладающих энергией, достаточной для преодоления противодействия объемного заряда. [24]
Предполагается также, что значения коэффициентов переноса не зависят от направления потока неосновных носителей. [25]
Оба перехода закрыты, следовательно, через np - переходы протекают только потоки неосновных носителей. [26]
В структуре транзистора можно выделить активную область базы, лежащую под эмиттером, где поток неосновных носителей практически одномерный и где протекают основные процессы токопереноса. В пассивной и периферийной областях базы П1 и П2 имеют место краевые эффекты, которые учитываются дополнительно. [27]
Два механизма обусловливают шум, описываемый выражением (4.2), а именно тепловые флуктуации в потоке неосновных носителей и рекомбинация неосновных носителей, и имеют место в объемных областях, граничащих с обедненным слоем. На первый взгляд может показаться странным, что флуктуации выходного тока составляющими которого являются диффузионные токи неосновных носителей в двух плоскостях, ограничивающих обедненный слой, могут проявляться в областях прибора вне перехода. Объяснение этой кажущейся аномалии связано с механизмом релаксации неосновных носителей, за счет которого после возмущения в распределении неосновных носителей восстанавливается статистическое равновесное состояние. В областях, далеких от перехода, за счет релаксации неосновных носителей потока во внешней цепи не создается, так как он полностью скомпенсирован потоком основных носителей. Рассмотрение процесса релаксации основных носителей, проведенное в разд. Но вблизи перехода возмущение в распределении неосновных носителей приводит к изменению градиента распределения на границе обедненного слоя; это означает, что в данном случае релаксация неосновных носителей также вызывает поток через переход, приводя к подъему сопутствующего потока заряда в цепи. Вклады в этот внешний поток от всех возмущений в концентрации неосновных носителей в объеме материала проявляют себя как наблюдаемый шум выходного тока. [28]
Однако если рекомбинация у поверхности превосходит рекомбинацию в объеме, то чем сильнее прижимается магнитным полем поток неосновных носителей к стороне а, тем быстрее он иссякает по мере продвижения вправо. [29]
Физическими механизмами, обусловливающими шумовые свойства идеальных р - n - переходов, являются тепловые флуктуации потока неосновных носителей и акты рекомбинации и генерации носителей в объемной области. Оба этих процесса вызывают возмущения в распределении неосновных носителей, а они приводят к появлению диффузионных токов через объем материала, которые приводят к установлению равновесного распределения, существовавшего до этих возмущений. Полная флуктуация диффузионного тока неосновных носителей на границе обедненной области, обусловленная всеми этими единичными событиями по всей объемной области, определяет шум тока ID в цепи. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5