Поток - неосновной носитель
Cтраница 4
При подаче на базу отрицательного напряжения эмиттерный переход запирается, п ( хр) становится меньше пр и градиент ГП ( ХР) уменьшается. При дальнейшем увеличении отрицательного напряжения МБ потоки неосновных носителей 5 и 7 начинают преобладать над потоками основных носителей 1 и 3 и градиент Гп ( хр) становится отрицательным ( график 5), увеличиваясь по абсолютной величине. Отрицательный избыточный заряд в базе при этом увеличивается. [46]
Изменение напряжения на эмиттере вызывает изменение потока неосновных носителей через оба перехода. Поэтому полное приращение заряда в области базы dQe оказывается больше, чем это обусловливается приращением потока неосновных носителей только через эмиттер, так как часть заряда переносится через коллекторный переход. Если же мы рассматриваем схему с общим эмиттером, то весь заряд переносится через входной электрод потоком основных носителей. [47]
Это приводит к тому, что не все носители, инжектированные эмиттером и дошедшие до коллекторного перехода, перехватываются им. Условно можно считать, что навстречу потоку неосновных носителей, идущих из базы в коллектор, идет поток таких же носителей из коллектора в базу, и суммарный их ток определяется разностью этих потоков. [48]
Это и означает появление переменной составляющей тока, обусловленной флюктуациями потока неосновных носителей. [49]
 |
Осциллограмма вольт-амперной характеристики четырех-слойного диода. [50] |
При повышении приложенного напряжения обратный ток р-п перехода Xz увеличивается аналогично, как у стабилитрона. Вследствие этого протекает больший ток через р-п переходы Xi и Хз, что приводит также к увеличению потока неосновных носителей заряда через р-п переход Хг. Следствием этого является то, что ток при напряжении выше так называемого напряжения переключения t / пер лавинообразно возрастает, например, как при пробое изолятора или при зажигании лампы тлеющего ( разряда. Получающийся при этом ток нужно ограничивать по величине и длительности протекания, в противном случае диод может быть поврежден. [51]
 |
Спектральная характеристика фоточувствительности диода Шотки. [52] |
Если одна из областей р-п-перехода представляет собой варизонный полупроводник, то наличие в нем квазиэлектрического поля, перемещающего генерированные светом неосновные носители к р-я-переходу, препятствует их рекомбинации на поверхности и в объеме полупроводника. При освещении фотонами высоких энергий снижение фоточувствительности в коротковолновой области спектра, обусловленное поверхностной рекомбинацией, будет меньше, если скорость дрейфа неосновных носителей в электрическом поле, обусловленном градиентом ширины запрещенной зоны, больше скорости поверхностной рекомбинации. Поток неосновных носителей должен быть направлен от освещенной поверхности в глубь образца. [53]
В структурах с барьером Шоттки, у которых диэлектрический слой отсутствует, темновой диодный ток обусловлен в основном термоэмиссией основных носителей заряда, проходящих над барьером. Наблюдаются также и более слабые эффекты, связанные с туннелированием основных носителей через верхнюю часть барьера и ( или) их рекомбинацией в обедненном слое, которыми в большинстве солнечных элементов можно пренебречь. Кроме того, имеется поток неосновных носителей заряда, инжектируемых из металла в полупроводник, однако он существенно меньше потока основных носителей. [54]
Это приводит к тому, что из базы в коллектор происходит инжекция и не все носители, инжектированные эмиттером и дошедшие до коллекторного перехода, перехватываются им. Условно можно считать, что навстречу потоку неосновных носителей, идущих из базы в коллектор, идет поток таких же носителей из коллектора в базу, и суммарный их ток определяется разностью этих потоков. [55]
При работе транзистора в режиме насыщения ( см. рис. 4.4, б) в прямом направлении включен не только эмит-терный, но и коллекторный переход. Это приводит к тому, что не все носители, инжектированные эмиттером и дошедшие до коллекторного перехода, перехватываются им. Условно можно считать, что навстречу потоку неосновных носителей, идущих из базы в коллектор, идет поток таких же носителей из коллектора в базу, и суммарный их ток определяется разностью этих потоков. [56]
При этом роль катода играет эмиттер, роль анода - коллектор, а в качестве сетки служит база. Изменяя напряжение между сеткой и катодом в вакуумном триоде, мы изменяем электронный поток в лампе и получаем изменение тока в цепи анода. Аналогично, изменяя напряжение между эмиттером и базой, мы меняем поток неосновных носителей, инжектированных в область базы, и этим изменяем ток в цепи коллектора. [57]
 |
Полупроводниковый триод типа. [58] |
При этом роль катода играет эмиттер, роль анода - коллектор, а в качестве сетки служит основание. Изменяя напряжение между сеткой и катодом в вакуумном триоде, мы изменяем величину электронного потока в лампе и получаем изменение тока в цепи анода. Аналогично, изменяя напряжение между эмиттером и основанием, мы меняем величину потока неосновных носителей, инжектированных в область основания, и этим изменяем ток в цепи коллектора. [59]
При этом роль катода играет эмиттер, роль анода - коллектор, а в качестве сетки служит база. Изменяя напряжение между сеткой и катодом в вакуумном триоде, мы изменяем величину электронного потока в лампе и получаем изменение тока в цепи анода. Аналогично, изменяя напряжение между эмиттером и базой, мы меняем величину потока неосновных носителей, инжектированных в область базы, и этим изменяем ток в цепи коллектора. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5