Примесь - замещение
Cтраница 1
Примеси замещения, введенные в металлы и сплавы Fe - Сг-Ni в количестве до 5 ат. В работах Джонстона и др. [187, 203] приведены результаты исследования радиационного распухания сплава Fe - 15 Сг - 20 Ni, легированного молибденом, алюминием, титаном, цирконием, кремнием, после облучения ионами Ni с энергией 5 МэВ и в реакторе. Видно, что введение титана, ниобия, кремния и циркония приводит к уменьшению распухания, причем цирконий подавляет распухание наиболее эффективно. Данные о влиянии молибдена неоднозначны: легирование сплава молибденом приводит к увеличению распухания в условиях ионного облучения и к уменьшению при облучении в реакторе. Совместное легирование сплава кремнием и титаном подавляет распухание более эффективно, чем легирование каждым элементом в отдельности. [1]
 |
Удельная проводимость. [2] |
Примеси замещения в кристаллической решетке соединений АП1ВУ распределяются таким образом, чтобы не возникло центров с большим избыточным зарядом. Поэтому примеси элементов II группы периодической системы Д. И. Менделеева - Be, Mg, Zn и Cd, образующие твердые растворы замещения, всегда занимают в решетке AJ. IBV узлы металлического компонента и при этом являются акцепторами, благодаря меньшей валентности по сравнению с валентностью замещаемых атомов. В то же время примеси элементов VI группы - S, Se, Те - всегда располагаются в узлах Bv и играют роль доноров. [3]
Примеси замещения заменяют частицы основного вещества в узлах решетки. Они внедряются в решетку тем легче, чем ближе атомные ( ионные) радиусы примесного и основного вещества. Примеси внедрения занимают междуузлия и притом тем легче, чем больше объем пространства между атомами. [4]
Примеси замещения в кристалле могут вести себя двояко: они либо отдают свой электрон, либо захватывают электрон из решетки основного кристалла, создавая соответственно электронную или дырочную проводимость кристалла. Рассмотрим образование электронной и дырочной проводимости в идеальном кристалле германия. [5]
Наиболее распространенными примесями замещения в сталях являются хром, марганец, кремний, никель и молибден. Реже встречаются ванадий, алюминий, титан и кобальт. Кратко сформулируем основные выводы о влиянии этих элементов на охрупчива-ние под воздействием среды, а затем перейдем к более детальному обсуждению. [6]
Как именно мигрируют примеси замещения. [7]
Иные условия создаются для примесей замещения в валентных кристаллических решетках. [8]
Таким образом, атомы примесей замещения образуют в запрещенной зоне полупроводника локальные уровни, проявляющие при меньшей валентности ( по сравнению с валентностью атомов матрицы) акцепторный, а при большей валентности - донорный характер. [9]
Простейшим дефектом в полупроводниках является примесь замещения, обсуждавшаяся в разд. Однако даже в чистых материалах существуют структурные дефекты, например точечные вакансии, междоузельные атомы, дефекты упаковки ( которые были рассмотрены в конце разд. [10]
Вакансионный механизм часто реализует диффузию примеси замещения в кристалле. Примесь диффундирует по кристаллу в результате обменов местами с различными вакансиями, которые время от времени оказываются вблизи нее. Этот механизм должен быть особенно существенным и лимитирующим процесс диффузии примеси в том случае, когда атом примеси значительно больше атома кристалла-матрицы и становится совершенно маловероятным прямой обмен местами примеси и регулярного атома. [12]
Диффузия - трансляционные перемещения атомов примеси замещения в кристалле, в которых основную роль играет градиент концентрации. Обычно процессы диффузии приводят к выравниванию градиента и равномерному распределению атомов примесей. Температурная зависимость коэффициента диффузии определяется аналогичной экспоненциальной формулой. [13]
Установлено, что при введении примесей замещения ( Si - Al, С - N) в соседние узлы в спектре возникают примесные Si, С-уровни вблизи нижнего края ЗЩ нитрида. Уровни дефектов концентрируются в области ЗЩ кристалла и приводят к драматическим изменениям диэлектрических свойств матрицы. Анализ энергетического состояния систем показал ( табл. 2.6), что при замещении Si - Al, С - N наиболее химически стабильной будет система с кластером примесных элементов, где образуются прочные межатомные связи Si-С. [14]
 |
Структура железа, содержащего углерод, после деформации 54 % и нагрева. [15] |
Страницы: 1 2 3 4