Примесь - замещение
Cтраница 3
Перейдем к рассмотрению локальных колебаний у точечного дефекта, который создается примесью замещения, когда место атома основного элемента занято чужим атомом. Такого же типа дефект создает вакансия в узле. При наличии этого дефекта меняются как масса соответствующего узла, так и постоянные упругой связи этого узла с соседними. [31]
 |
Окисление титана при разных температурах ( И. И. Сидорин. [32] |
Примеси внедрения примерно в 10 раз сильнее влияют на свойства, чем примеси замещения. [33]
Это отчасти объясняется тем, что изотопические примеси входят в решетку как примеси замещения. Они распределены по основному кристаллу случайным образом, и перенос энергии от одной примеси к другой аналогичен переносу в неупорядоченной системе, хотя и происходит в отчетливо выраженной периодической решетке. В этой системе примесные узлы, если иметь в виду расстояние между ними, распределены случайно, но характеризуются одной и той же энергией. Таким образом, изотопически-смешанные кристаллы представляют собой удобную модельную систему для проверки теоретических концепций описания неупорядоченных твердых тел. [34]
 |
Окисление титана при разных температурах ( И. И. Сидорин. [35] |
Примеси внедрения примерно в 10 раз сильнее влияют на свойства, чем примеси замещения. [36]
Для катионных вакансий поперечник рассеяния фононов в 3 - 5 раз превышает поперечник примеси замещения. [37]
Если превращение лимитируется объемной диффузией, трудно объяснить влияние на скорость роста перлита в стали примесей замещения, так как влияние этих примесей на коэффициент диффузии и на движущую силу процесса мало. Представляется более вероятным, что изменение скорости роста обусловлено снижением подвижности границ. [38]
 |
Зуб текучести ( Л и площадка текучести ( ВС на диаграмме растяжения о-е поликристаллической мягкой стали. [39] |
Кроме этого, образованию атмосфер Коттрелла способствует более высокая диффузионная подвижность примесей внедрения, чем примесей замещения. [40]
Если примесный атом занимает позицию, в которой до этого находился атом кристалла, то говорят о примеси замещения. Если атомы в той или иной области кристалла смещены из своего идеального положения, говорят, что кристалл деформирован. Деформацию могут вызвать химические дефекты, когда посторонний атом не точно соответствует решетке и смещения частично снимаются деформацией, связанной с такими дефектами. Напряжение и термическая обработка часто вносят деформацию в кристалл. [41]
В заключение укажем, что для специального легирования полупроводниковых кристаллов применяются обычно элементы, атомы которых образуют примеси замещения. Так в кремний и германий р-типа вводят атомы бора, индия или галлия, а кремний и германий - типа получают за счет легирования кристаллов примесью фосфора, сурьмы или мышьяка. [42]
В качестве простейшего ( но вместе с тем чрезвычайно важного с точки зрения технических применений) примера примеси замещения можно указать на примесь элементов III или V групп в полупроводниковых кристаллах типа Ge и Si. Рассмотрим сначала второй случай, например примесь замещения пятивалентного As в кристалле Ge. Четыре из пяти валентных электронов атома As вместе с четырьмя электронами, принадлежащими ближайшим соседним атомам Ge, образуют обычную тетраэдрическую систему двухэлектронных связей, описанную выше. [43]
 |
Бивакансия в ионном кристалле. [44] |
В ионном кристалле особыми электрическими свойствами обладают не только вакансии, но и примеси, в частности, заряженные примеси замещения. Такой точечный дефект, естественно, также обладает избыточной кулоновской энергией, а потому ему выгодно объединиться с отрицательно заряженной катионной вакансией. Нетрудно понять, что по своим электрическим свойствам пара примесь-вакансия мало отличается от рассмотренной выше бивакансии. Однако локальная деформация кристалла, а также возможные ориентации диполя в кристаллической решетке иные, чем у бивакансии. Последнее следует хотя бы из того обстоятельства, что оба дефекта ( заряженная примесь и вакансия) располагаются в одной и той же ионной подрешетке. [45]
Страницы: 1 2 3 4