Примесь - замещение
Cтраница 2
Приведенные выше данные [59] показывают, что примеси замещения, находящиеся на границе зерна, могут быть весьма прочно связаны с ней. Эти примеси даже после многократной пластической деформации и термической обработки при температурах значительно выше рекристаллизационных, а также после полиморфного превращения не покидают границ исходного зерна. [16]
 |
Теплопроводность и концентрация азота в природных алмазах типа Ь.| Теплопроводность природных алмазов типа Ь при температурах 320 и 450 К 1273 ]. [17] |
Большинство синтетических алмазов содержит азот в виде атомарной примеси замещения. [18]
Известно, что атомы бсра могут быть примесью замещения в графитовой решетке и действовать как акцепторы. Был сделан вывод, что термопара ПГБ / ПГ при работе ниже 2000 ( в отсутствие химических воздействий) имеет важные преимущества перед существующими высокотемпературными схемами. Емкость в этом случае больше, чем при использовании большинства других термопар, например вдвое больше, чем для термопары вольфрам / вольфрам-рений. Была выбрана система ПГ с 0 7 % ПГБ, так как емкость ее почти линейно возрастает с температурой, причем при 2000 достигается объемная емкость 75 мв. Стабильность значения емкости достигается отжигом обоих термоэлементов при 2900 перед прогревом самой термопары ПГБ / ПГ. [19]
Примеси II и VI групп обычно оказываются примесями замещения, причем П - атомы замещают Ill-атомы, образуя акцепторные центры, а VI-атомы замещают V-атомы, становясь донорами. [20]
Допустим теперь, что в кристалле имеются две одинаковые примеси замещения в узлах пит. [21]
Рассмотрим примеры влияния на проводимость германия и кремния примесей замещения. Если в кристаллическую решетку их ввести атом сурьмы или другого элемента V группы, то он, став на место атома германия ( или кремния) в узле решетки, образует валентные связи с четырьмя соседними атомами германия, расположенными по вершинам окружающего его тетраэдра. [22]
Рассмотрим примеры влияния на проводимость германия и кремния примесей замещения. Если в кристаллическую решетку их ввести атом сурьмы или другого элемента V группы, то он, став на место атома германия ( или кремния) в узле решетки, образует ковалентные связи с четырьмя соседними атомами германия, расположенными по вершинам окружающего его тетраэдра. [23]
 |
Дислокации. а - краевая ось перпендикулярна плоскости чертежа. б - винтовая ось обозначена стрелкой. [24] |
В зависимости от положения в кристаллической решетке могут быть примеси замещения и примеси внедрения. В первом случае чужеродный атом занимает в решетке место основного атома, во втором - некоторое промежуточное положение. [25]
 |
Диаграмма истинных напряжений железа, легированного марганцем после закалки я отпуска при 200 С. / - 0 11 % Мп. 2 - 1 е Л МП. 3 - 4 0 % Мп. [26] |
Все точечные дефекты ( вакансии, межузельные атомы, атомы примесей замещения или внедрения) образуют в окружающей решетке поля напряжений и поэтому взаимодействуют с дислокациями, при этом упругая энергия всей системы понижается. Наиболее важную роль из указанных точечных дефектов играют, по-видимому, примеси. Взаимодействие дислокаций с примесями должно приводить к перераспределению последних, в результате которого свободная энергия системы уменьшается. Взаимодействие движущейся дислокации с растворенными атомами бывает упругим, электрическим или химическим. [27]
Разность между этими плотностями служит мерой плотности вакансий и концентрации примесей замещения и внедрения. [28]
 |
Положение донорной и акцепторной примесей в кристаллической решетке антимонида индия. а-донорная примесь теллура. б - акцепторная примесь цинка. [29] |
Примеси элементов II, IV, VI групп обычно оказываются примесями замещения. [30]
Страницы: 1 2 3 4