Примесь - замещение
Cтраница 4
Особая роль точечных дефектов типа вакансий в процессах рассеяния тепловых волн обусловлена значительно большими искажениями по сравнению с примесями замещения. [46]
Возникновение в энергетических зонах локализованных состояний и их электрофизическая активность обусловлены в основном структурой химической связи вблизи дефектов, наличием примесей замещения и внедрения и электронным взаимодействием между подрешетками матрицы. Легирование примесями замещения используется с целью управления типом и концентрацией носителей заряда. А что можно сказать относительно других локализованных состояний. [47]
Вместе с тем атомистические аспекты конкуренции атомов Р и С на границах зерен например, природа общих центров адсорбции для фосфора - примеси замещения в a - Fe и углерода - примеси внедрения, возможность химического и упругого взаимодействия ( отталкивания) Р и С в зоне адсорбции, которое может приводить к эффектам, аналогичным конкуренции на общих центрах [34] остаются пока неизвестными. [48]
Ag, Аи, Fe, Ni, - как медь, должны рассматриваться как примеси в междоузлиях, при высоких: и как примеси замещения при низких температурах в германии. Могут быть в соединениях III-V, либо в области III, либо в V, в зависимости от обстоятельств. [49]
В системе нафталин - дейтеронафталин такой подходящий сверхловушкой является / 8-метилнаф-талин ( BMN) по следующим причинам: ( а) он входит в решетку нафталина как примесь замещения и распределяется по ней случайным образом; ( б) первое триплетное состояние BMN расположено на 275 см 1 ниже триплетного состояния С10Н8, поэтому термическая активация при температуре жидкого гелия пренебрежимо мала; ( в) концентрацию таких сверхловушек можно варьировать независимо от концентрации С10Н8 и ( г) BMN дает характерную фосфоресценцию, излучение которой сигнализирует о том, что к сверхловушке принесена энергия. С увеличением концентрации примеси ( СЮН8) фосфоресценция сверхловушек возрастает. [50]
Очевидно, такой структурой по отношению к рассеянию фононов обладают не только твердые растворы, но и кристаллы, богатые вакансиями, которые создают области искажений, в несколько раз превышающие таковые для примесей замещения. [51]
Из табл. 11 можно видеть, что у каждого соединения III-V проявляется тенденция к тому, чтобы энергия активации для диффузии всех акцепторов была меньше энергии активации для всех доноров, если эти примеси представляют собой примеси замещения. Кроме того, скорости самодиффузии элементов III и V неодинаковы; энергия активации для диффузии V-атомов больше. Это позволяет предположить [30], что самодиффузия и диффузия примесей замещения происходят по вакансиям частичных кристаллических решеток; Ill-атомы и акцепторы движутся по частичной решетке Ш - атомов, а V-атомы и доноры - по частичной решетке V-атомов. [52]
 |
Затухание, обусловленное примесью азота в разбавленном твердом растворе Мп в Fe.| Графики уравнений Дебая Ам - - - - - j ]. [53] |
Гупта и Вейниг исследовали внутреннее трение для кислорода в титане, легированном Nb, Zr, Аи, и пришли к заключению, что пик вызван диффузией внедренных атомов кислорода, находящихся по соседству с атомами примеси замещения. [54]
Известно, что трехкомпонентные твердые растворы a - SixCi x: Н, a - SixNi -: H и a - SixOi x: H, также как и a - Si: H, можно легировать примесями замещения. На рис. 4.4.7 показаны зависимости а и ее энергии активации от уровня легирования. Проводимость пленок a - SixNi x: H легированных бором, минимальна при WB H6 / ( SiH NH3) 10 - 3 что соответствует п - р - конверсии типа проводимости и максимальной величине энергии активации. При увеличении содержания в газовой смеси ВзНб выше 2 10 - 2 мольных долей для фотонов с энергией выше 1 6 эВ заметно возрастает коэффициент поглощения. Спектр оптического поглощения пленок a - SixNi x: Н, легированных фосфором, от уровня легирования не зависит. Вблизи энергии 1 9 эВ наблюдается резкий край оптического поглощения. Сетка a - SixNi x: H состоит в основном из тетраэдрически связанных атомов кремния и некоторого количества атомов азота с координационным числом три, поэтому механизм электрической активации атомов бора и фосфора по сравнению с сетками a - Si: Н здесь довольно сложен. С повышением уровня легирования бором в пленках a - SixNi x: H монотонно увеличивается интегральная поглощательная способность колебательных мод растяжения связей Si-H, что связано с усилением поглощения фотонов низких энергий. [55]
Известно, что трехкомпонентные твердые растворы a - SixC [ x: H, a - SixNi x: H и a - SixOi x: H, также как и a - Si: H, можно легировать примесями замещения. На рис. 4.4.7 показаны зависимости а и ее энергии активации от уровня легирования. Проводимость пленок a - SixNi x4: H легированных бором, минимальна при WB 2 н ь / ( Ws i н NH3) 10 3, что соответствует п - р - конверсии типа проводимости и максимальной величине энергии активации. При увеличении содержания в газовой смеси В2Н6 выше 2 10 - 2 мольных долей для фотонов с энергией выше 1 6 эВ заметно возрастает коэффициент поглощения. Спектр оптического поглощения пленок a - SixNi x: Н, легированных фосфором, от уровня легирования не зависит. Вблизи энергии 1 9 эВ наблюдается резкий край оптического поглощения. Сетка a - SixNi x: H состоит в основном из тетраэдрически связанных атомов кремния и некоторого количества атомов азота с координационным числом три, поэтому механизм электрической активации атомов бора и фосфора по сравнению с сетками a - Si: Н здесь довольно сложен. С повышением уровня легирования бором в пленках a - SixNi x: H монотонно увеличивается интегральная поглощательная способность колебательных мод растяжения связей Si-H, что связано с усилением поглощения фотонов низких энергий. [56]
Примеси замещения деформируют решетку, причем деформации ограничиваются ближайшей кристаллической ячейкой. Примеси внедрения искажают вокруг себя решетку на протяжении нескольких атомных расстояний, если размеры внедренных атомов примеси велики. [57]
Примеси из III и V групп периодической таблицы вводят в запрещенную зону полупроводника по одному мелкому уровню; их можно рассматривать в рамках водородоподобной модели, описанной в разд. Поскольку примеси замещения группы II оставляют по две свободные связи в решетке германия, то они создают два примесных уровня, и аналогично элементы группы I дают три уровня. У практически важных примесей группы II Zn, Cd и Hg глубина уровня возрастает с увеличением атомного веса примеси. [58]
Возникновение в энергетических зонах локализованных состояний и их электрофизическая активность обусловлены в основном структурой химической связи вблизи дефектов, наличием примесей замещения и внедрения и электронным взаимодействием между подрешетками матрицы. Легирование примесями замещения используется с целью управления типом и концентрацией носителей заряда. А что можно сказать относительно других локализованных состояний. [59]
Простейшим дефектом в периодической решетке является атом иримеси, например атом фосфора, замещающий атом кремния в - идеальном в других отношениях кристалле кремния. Введение такой примеси замещения фактически эквивалентно добавлению одного яротона IK ядру атома кремния и одного электрона к электронной системе. За исключением области, близкой ок атому примеси, рассматриваемое поле явдяется медленно меняющимся. Поэтому на больших расстояниях наши результаты вполне надежны. [60]
Страницы: 1 2 3 4