Примесь - бор
Cтраница 3
Приведенные данные непосредственно связаны с отмеченной выше ролью примеси бора, как фактора, нарушающего соотношение реагентов в системе. Отсюда следует также, что применение сополимеров с содержанием бора выше 0 005 % нецелесообразно. [31]
Показана и использована возможность применения разработанного способа отделения примеси бора от четыреххлористого германия встряхиванием последнего с концентрированной соляной кислотой для очистки четыреххлористого германия от примеси бора до 10 - 8 % и менее, а также, что этот способ может иметь значение в технологическом отношении. [32]
 |
Графики температурных зависимостей сопротивления кристаллов, легированных бором. [33] |
Это связано, по-видимому, с насыщением алмаза примесью бора и повышенной интенсивностью образования электрических нейтральных В-N - комплексов в таких кристаллах, поскольку содержание парамагнитного азота в них уменьшается, хотя скорость роста кристаллов сравнительно велика, что должно способствовать захвату азота алмазом. Таким образом, степень анизотропии сопротивления легированных бором кристаллов может быть обусловлена как преимущественным его захватом гранями октаэдра, так и повышенной концентрацией компенсирующей примеси азота в пирамидах роста граней куба. [34]
Остаточная дырочная проводимость в кремнии обусловлена в основном неконтролируемой примесью бора. [35]
На первом этапе осуществляется химическая подготовка пробы и концентрирование примеси бора на безборном угольном порошке. [36]
 |
Емкость углей различных марок по мышм. у. [37] |
Установлено, что на исследованных углях не происходит сорбции примеси бора из газообразного фтористого водорода. [38]
При изоляции с помощью лоликристаллического кремния диффузионные резисторы изготавливаются примесями бора при базовой диффузии как в поликристаллических областях, так и в монокристаллических изолированных слоях. Так как коэффициент диффузии бора в поликристаллическом кремнии выше, чем в монокристаллическом, а поверхностное сопротивление диффузионных областей в поликристаллическом материале примерно в 3 раза больше, чем в монокристаллических участках, имеется возможность одновременно получать два значения удельного сопротивления. Помимо меньших размеров, поликристаллические резисторы обладают тем преимуществом, что не создают паразитных транзисторных структур и имеют меньшую емкость относительно подложки. [39]
 |
Приборы для отгонки борнометилового эфира. [40] |
Серная кислота, хранившаяся в стеклянной посуде, всегда содержит примесь бора. Стеклянная посуда, применяемая при перегонке, также часто отдает значительные количества бора. Поэтому всегда необходимо проводить холостые опыты; иногда следует специально очищать реактивы. [41]
Так как четыреххлористый германий обычно получают из золы, то примесь бора может, очевидно, присутствовать в растворах четыреххлористого германия только в виде аниона борной кислоты. [42]
Это объясняется главным образом тем, что именно такое содержание примеси бора оказалось в случайных образцах элементарного кремния и двуокиси кремшия, с которыми мы работали, а также степенью чистоты имевшихся реактивов, но не предельной чувствительностью разрабатываемых нами методов. Поэтому представляется целесообразным рассмотреть преимущества этих методов и возможные перспективы их использования. По разработанному щами методу концентрирования бора с применением маннита требуется меньше плавиковой кислоты, чем по методам Дюкре1 - 2, в которых плавиковая кислота необходима не только для растворения кремния, но и для последующего экстрагирования бора. Так как чувствительность определения бора в кремнии в основном лимитируется чистотой плавиковой кислоты, уменьшение количества ее при проведении анализа является существенным преимуществом метода. [43]
Уран, используемый в атомных реакторах, анализируют на содержание примесей бора, которого должно быть не более стотысячных долей процента. [44]
Метод основан на отгонке иода при 80 С, концентрировании примеси бора в остатке в виде нелетучего соединения с кальцием и определении бора в виде комплексного соединения с куркумином в растворе концентрированной серной кислоты в присутствии уксусной. [45]
Страницы: 1 2 3 4