Cтраница 1
Акцепторная примесь - примесь, атомы которой являются акцепторами. [1]
Акцепторные примеси захватывают электроны и действуют обратным образом, способствуя переходу к р-связи. [2]
Акцепторные примеси - это трехвалентные вещества ( м-дий - In, алюминий - AI), обеспечивающие повышение дырочной проводимости. При образовании связей с атомами полупроводника одна оказывается незаполненной, что приводит к появлению избыточного количества дырок. [3]
Акцепторные примеси создают в полупроводнике дополнительные свободные энергетические уровни, на которые могут переходить электроны из заполненной зоны, образуя та; дырки. [4]
Акцепторные примеси создают в полупроводнике дополнительные свободные энергетические уровни, на которые могут переходить электроны из заполненной зоны, образуя там дырки. [5]
Акцепторные примеси обусловливают в полупроводнике преобладание дырочной проводимости, а донорные примеси - преобладание электронной проводимости, причем ничтожная добавка указанных примесей увеличивает электрическую проводимость полупроводника в десятки тысяч раз. В качестве акцепторных примесей ( добавок) применяются вещества, в атомах которых число валентных электронов на единицу меньше, чем у данного полупроводника, а в качестве донорных - вещества, число валентных электронов которых на единицу больше, чем у чистых полупроводников. Например, алюминий применяется в качестве акцепторной добавки к кремнию потому, что атом кремния содержит четыре валентных электрона, а атом алюминия - три. [6]
Акцепторные примеси, принимая валентные электроны на акцепторные уровни, приводят к появлению в полупроводнике дырочной электропроводности. [7]
Акцепторными примесями для кремния являются обычно алюминий, бор и галлий - элементы III группы периодической системы, атомы которых имеют три валентных электрона. Каждому атому примеси недостает одного электрона для образования ковалентных связей с четырьмя соседними атомами полупроводника. Этот электрон захватывается у одного из атомов, в котором образуется дырка. Такой примесный полупроводник называют дырочным или полупроводником р-типа. Основными носителями зарядов в нем являются дырки, как примесные, так и собственные, а неосновными - электроны, заполняющие эти дырки. [8]
Акцепторными примесями, широко применяемыми в технологии изготовления диффузионных структур в кремнии и других полупроводниковых материалах, являются бор и галлий. В ряде случаев используют алюминий. [9]
Акцепторными примесями для кремния являются обычно алюминий, бор и галлий - элементы III группы периодической системы, атомы которых имеют три валентных электрона. Каждому атому примеси недостает одного электрона для образования ковалентных связей с четырьмя соседними атомами полупроводника. Этот электрон захватывается у одного из атомов, в котором образуется дырка. Такой примесный полупроводник называют дырочным или полупроводником Р - типа. Основными носителями зарядов в нем являются дырки, как примесные, так и собственные, а неосновными - электроны, заполняющие эти дырки. [10]
Важнейшими акцепторными примесями в кремнии являются бор и алюминий, в германии - галлий и индий. Поскольку эти примеси являются элементами III группы, атомы их захватывают недостающий четвертый электрон от атомов полупроводника, сообщая этой части решетки положительный заряд. Образовавшаяся положительная дырка решетки притягивает к себе электрон от соседнего атома, и положительная дырка перемещается в новое место. Отсюда - дырочная или положительная проводимость. [11]
Это акцепторные примеси, которые уменьшают электронную, но увеличивают дырочную проводимость полупроводника. [12]
Уровень акцепторных примесей в пленках ( независимо от их источника) превышает растворимость большей части донор-ных примесей. [13]
Концентрация акцепторной примеси в базе низкая, а концентрация донорной примеси в эмиттере и коллекторе высокая. [14]
Валентность акцепторных примесей, внесение которых создает дырочную проводимость, должна быть меньше валентности вещества самого полупроводника. [15]