Акцепторная примесь

Cтраница 2

Атомы акцепторных примесей, присоединяя электроны, превращаются в неподвижные отрицательные ионы. [16]

Характеристики медно-закисных и селеновых вентилей. [17]

Роль акцепторной примеси исполняют собственные атомы, не вошедшие в кристаллическую решетку. Известны два типа селеновых вентилей: старый, в котором селен наносится на никелированную стальную пластину, и более новый, с применением алюминиевой подложки. В первом случае запирающий слой образуется между селеном с дырочной проводимостью и слоем се-ленида или сульфида кадмия с электропроводностью типа п, образующегося в нижних слоях верхнего электрода из сплава, содержащего кадмий. Образование этого слоя требует электрической формовки под напряжением. [18]

Примером акцепторной примеси являются добавки бора к селену или германию. [19]

Примером акцепторной примеси являются атомы трехвалентного индия. Атом индия может захватить четвертый электрон из какого-либо места кристалла полупроводника, где и образуется дырка. Совокупность таких дырок ( их концентрация зависит от концентрации примесных атомов) приведет к возникновению в кристалле дырочной проводимости. [20]

Уровни акцепторной примеси отстоят от границы валентной зоны на 0 3 - 0, бое. [21]

Легирование акцепторными примесями вызывает некоторое понижение указанных параметров. Упругое взаимодействие дислокаций с примесями и химическая индивидуальность примесей не оказывают решающего влияния на пластичность полупроводниковых соединений АШВУ. Влияние примесей на пластические свойства соединений А В обусловливается, в основном, их зарядовым состоянием, определяющим тип проводимости кристалла. [22]

Так, акцепторная примесь отбирает на свои уровни электроны валентной зоны германия и придает ему за счет этого дырочную ( позитивную - р) проводимость. [23]

Как определяется акцепторная примесь. [24]

Очисткой от акцепторных примесей Байлендеру и др. удалось получить эпитаксиальные пленки re - германия, конденсировавшиеся при tK 475 - 500 С из источника Ge - 10 % As, на р-гер-мании, осажденном в свою очередь на монокристалле германия. [25]

В качестве акцепторных примесей для легирования карбида кремния чаще всего используются алюминий и бор, соответственно создающие акцепторные уровни с энергией активации 0 27 и 0 39 эв. [26]

В случае акцепторной примеси приближенные решения имеют аналогичный вид. [27]

Энергетические зоны германия и уровни примесей. а - донорной. б - акцепторной. [28]

В качестве акцепторной примеси используются элементы III группы, например, индий и галлий. Валентные энергетические уровни этой примеси тоже располагаются в запрещенной зоне германия, но вблизи его валентной зоны ( рис. 14.3, б); кроме того, они свободны от электронов. [29]

Схема образования дырки в полупроводниковом материале, легированном элементом третьей группы. [30]

Страницы: 1 2 3 4