Акцепторная примесь
Cтраница 4
 |
Схема установки для проведения диффузии в токе газа. [46] |
В качестве источника акцепторной примеси используют порошок германия р-тииа, сильно легированный галлием до удельного сопротивления 0 01 - 0 15 ом-см. Исходный порошок может быть использован в 5 - 6 процессах. Пластины германия загружают в кварцевую лодочку и засыпают порошком легированного германия, после чего кварцевую лодочку помещают в водородную печь. [47]
При чрезмерной концентрации акцепторной примеси ( у вырожденного полупроводника) примесный уровень расщепляется и объединяется с валентной зоной и уровень Ферми располагается в валентной зоне. [48]
 |
Кристаллическая решетка германия или кремния с акцепторной примесью. [49] |
Концентрация донорной или акцепторной примеси характеризуется числом атомов примеси в единице объема полупроводника. Концентрация донорной примеси обозначается ND, а концентрация акцепторной примеси NA Чтобы примесь существенно повлияла на характер проводимости полупроводника, концентрация примеси ND или N А должна быть на порядок или несколько порядков больше собственной концентрации свободных носителей пг. [50]
Методом ионного внедрения акцепторных примесей в SiC удается получить, в частности, светодиодные структуры с более высокими, чем у диффузионных структур, яркостными характеристиками. [51]
Локальный энергетический уровень акцепторных примесей располагается вблизи потолка валентной зоны. Поскольку энергия ионизации акцептора AWa № B-Wa значительно меньше ширины запрещенной зоны, электропроводность такого полупроводника будет обусловлена в основном перемещением дырок проводимости. [52]
N - концентрация акцепторной примеси; Рнач - исходная концентрация акцепторной примеси в пластинке полупроводника. [54]
 |
Пленарный п-р-я-транзистор. [55] |
Далее методом диффузии акцепторной примеси ( например, бора) создается область с размерами базы. Последующей циффузией донорной примеси ( например, фосфора) создается область эмиттера. [56]
Синтезированный PcMg содержит акцепторную примесь кислорода, который обуславливает р-тип его проводимости. Адсорбция донорного газа СН4 на поверхности чувствительного материала датчика приводит к рекомбинации электрона молекулы метана и дырки, образованной примесью кислорода. В результате количество свободных носителей заряда уменьшается и, сопротивление полупроводникового датчика возрастает. К основным допущениям, использованным в дальнейших рассуждениях ( приняты на основе результатов обзора и собственных исследований), относятся: сопротивление чувствительного слоя датчика соответствует омической области поведения органического полупроводника PcMg; адсорбция метана на поверхности пленок PcMg подчиняется уравнению степенной изотермы Фрейндлиха. [57]
Для германиевых полупроводников акцепторной примесью является, например, индий. У атома индия всего три валентных электрона. [58]
Страницы: 1 2 3 4