Акцепторная примесь
Cтраница 3
В качестве акцепторных примесей обычно используются алюминий, бор, галлий, индий. [31]
 |
Параметры некоторых варикапов. [32] |
Проведя диффузию акцепторной примеси в - слой, создают р - п-п структуру, в которой сопротивлением слоя можно пренебречь, а тонкая / г-область является базой. [33]
 |
Вольт-амперная ха - ледяной уксусной кислоты и 0 3 см рактеристика p - n - перехода брома. При травлении германии окисляется и переходит в раствор до тех пор, пока толщина пластинок станет. [34] |
В качестве акцепторной примеси для германия берут индий в виде шариков или дисков диаметром - 1 мм. Их тоже подвергают травлению. [35]
В качестве доиорных и акцепторных примесей используют галлий, сурьму, мышьяк, индий и другие примеси. В некоторых случаях применяется также сплавление. [36]
При легировании акцепторными примесями наиболее важным является однородное их распределение по объему монокристалла. Это обеспечивается подачей в зону кристаллизации газообразных легирующих соединений вместе с протоком аргона. [37]
 |
Схема режимов работы р-п-перехода. [38] |
Полупроводники с акцепторной примесью называются примесными полупроводниками типа р и имеют дырочную проводимость. Меняя количество примеси, можно изменять величину проводимости примесных полупроводников. [39]
Полупроводник с акцепторными примесями носит название дырочного полупроводника или р-типа. [40]
При этой диффузии акцепторные примеси должны проникнуть через весь эпитаксиаль-пый слой до поверхности исходной подложки. [41]
В германий введена глубокая акцепторная примесь и мелкая компенсирующая примесь - сурьма, концентрация которой меньше концентрации глубокой примеси. [42]
Ког а все допорные и акцепторные примеси в полупроводнике оказываются испо. [43]
 |
Точечный высокочастотный диод. [44] |
При электроформовке атомы акцепторной примеси вследствие разогрева приконтактной области и возникновения сильных электрических полей диффундируют в полупроводник. При этом образуется сильно легированная р-область. [45]
Страницы: 1 2 3 4