Донорная примесь
Cтраница 1
Донорная примесь - примесь, атомы которой являются донорами. [1]
 |
Концентрация основных носителей в кремнии, легированном мышьяком.| Эффект вытеснения эмиттера. [2] |
Донорные примеси Р и As, несмотря на свои особенности, наиболее близко соответствуют требованиям технологии БИС и применяются: Р - для легирования базовой области рпр-би-полярных транзисторов, As - для создания мелкого эмиттера в npn - транзисторах, в истоках и стоках МОП-транзисторов. [3]
 |
Расположение зон. [4] |
Донорные примеси образуют примесные уровни, расположенные в запрещенной зоне вблизи зоны проводимости. При абсолютной нулевой температуре все эти уровни заполнены и проводимость проводника равна нулю. Им требуется получить меньше энергии, чтобы перейти в зону проводимости. При достаточно низких температурах ( порядка ШОК) электроны доноров переходят в зону проводимости и создают электронную проводимость. [5]
Донорные примеси увеличивают электронную проводимость. При внедрении их атомов в кристаллическую решетку полупроводника четыре электрона образуют связи с другими атомами, а пятый оказывается лишним, в результате чего даже при низкой температуре вещество будет содержать значительное количество свободных электронов. [6]
Донорная примесь характерна тем, что ее валентные уровни располагаются в верхней половине запрещенной зоны ( рис. 1 - 12, б); все эти уровни заполнены при нулевой температуре. Акцепторная примесь характерна тем, что ее валентные уровни располагаются в нижней половине запрещенной зоны ( рис. 1 - 12, б); все эти уровни пусты при нулевой температуре. Поэтому при нагреве число фононов, способных ионизировать донор или акцептор и тем самым создать свободный электрон или свободную дырку, будет гораздо больше числа фононов, способных перевести электрон через всю запрещенную зону и образовать электронно-дырочную пару. Соответственно примесная проводимость оказывается гораздо больше собственной. Однако этот вывод относится только к сравнительно низким температурам. Дело в том, что по мере повышения температуры собственная проводимость растет непрерывно, а примесная имеет предел, соответствующий ионизации всех наличных примесных атомов. Таким образом, при достаточно высокой температуре проводимость полупроводника всегда бывает почти собственной. [7]
Донорные примеси, диффундируя в кристалл с объемной электропроводностью р-типа, приводят к образованию тонкого поверхностного слоя с / г-типом электропроводности. [8]
Донорные примеси Р, As, Sb характеризуются низкими скоростями диффузии в оксиде, что определяет высокую маскирующую способность диоксида кремния по отношению к этим примесям. В планарной технологии чаще используют фосфор, так как в кремнии он диффундирует быстрее, чем другие примеси, и это сокращает длительность процесса диффузии. [9]
Донорная примесь продиффундирует меньше, но поскольку концентрация доноров больше, чем продиффундированных акцепторов, между областью, через которую продиффундировали акцепторы и доноры вместе, и областью, через которую продиффундировали только акцепторы, образуется эмиттерный переход. [10]
 |
Распределение концентрации примеси в кристалле транзистора, полученного мето дом двойной диффузии. [11] |
Донорная примесь продиффунди-рует менее глубоко и поскольку ее концентрация больше, то вблизи поверхности, как это показано на рис. 4.29, образуется эмиттерный переход. [12]
Донорная примесь продиффундирует меньше, но поскольку концентрация доноров больше, чем продиффундировавших акцепторов, между областью, через которую продиффундировали акцепторы и доноры вместе, и областью, через которую продиффундировали только акцепторы, образуется эмиттерный переход. [13]
 |
Зонные структуры полупроводников. [14] |
Донорная примесь характерна тем, что ее валентные уровни располагаются в верхней половине запрещенной зоны ( рис. 1 - 12, б); все эти уровни заполнены при нулевой температуре. Акцепторная примесь характерна тем, что ее валентные уровни располагаются в нижней половине запрещенной зоны ( рис. 1 - 12, в); все эти уровни пусты при нулевой температуре. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5