Донорная примесь

Cтраница 3

Наличие донорной примеси в электродном материале не оказывает заметного влияния на форму импульса, что было проверено на электродах из фосфористой бронзы и из бериллиевой меди. [31]

Диффузия донорной примеси проводится в вакуумной печи, которая представляет собой маленькую молибденовую капсулу, нагреваемую вольфрамовой спиралью. [32]

Проводимость ли тока переходят из валентной. [33]

Уровень донорных примесей располагается в запрещенной зоне на расстоянии нескольких десятых или сотых электрон-вольта от зоны возбуждения и соответственно от верхней границы валентной зоны - для акцепторной примеси. С повышением температуры начинается ионизация примесей. Доноры отдают избыточные электроны в зону проводимости, образуя л-проводимость. [34]

Следовательно, донорная примесь промотирует акцепторные реакции и является ядом для донорных реакций. [35]

ПП вводятся донорные примеси, обычно хим. элементы, валентность к-рых на единицу выше валентности основного ПП. Для полупроводниковых соединений типа A 1 BV ( GaAs, InSb и др.) донорами служат Те, Se, S - элементы 6 - й группы. Когда он замещает в кристаллич. [36]

Так называемая донорная примесь ( донор - дающий, в данном случае - дающий электроны) представляет собой эле-V группы - сурьму или мышьяк. [37]

Следовательно, донорная примесь прокотирует акцепторные реакции и является ядом для доно-рных реакций. [38]

Энергетич. диаграмма для ПП р-типа электропроводности. Д - Еа-энергия иони-связи зачпи акцепторных примесей. АУ - акцепторный уровень.| График температурной зависимости уд. сопротивле. [39]

ПП вводятся донорные примеси, обычно хим. элементы, валентность к-рых на единицу выше валентности основного ПП. Для полупроводниковых соединений типа A li BV ( GaAs, InSb и др.) донорами служат Те, Se, S - элементы 6 - й группы. Когда он замещает в кристаллич. [40]

В качестве донорной примеси для образования га-эмиттерного перехода применяется, как правило, фосфор. [41]

Каждый атом донорной примеси вносит один электрон проводимости, следовательно, чем больше донорных атомов в каждом кубическом сантиметре полупроводника, тем больше концентрация их превышает концентрацию дырок, и проводимость носит электронный характер. Обратное положение имеет место при введении акцепторных примесей. [42]

При наличии донорной примеси полупроводник приобретает преимущественно электронную проводимость, при наличии же акцепторной примеси - преимущественно дырочную. Это происходит вследствие того, что при наличии донорных уровней вблизи зоны проводимости она обогащается электронами за счет атомов донора. Атом донора, отдав лишний электрон, становится положительным ионом. [43]

Зависимость концентрации носителей заряда в легированных кристаллах PbS от давления паров серы, в которых обрабатывались кристаллы. [44]

Энергии ионизации донорной примеси ( Bi) и акцепторной вакансии УРЬ настолько малы, что при охлаждении кристалла до комнатной температуры все носители остаются свободными. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5