Донорная примесь
Cтраница 2
Донорными примесями для кремния обычно являются фосфор или сурьма - элементы V группы. У этих элементов атомы имеют по пять валентных электронов, четыре из которых образуют ковалентные связи с четырьмя соседними атомами кристалла полупроводника, а пятые электроны, являясь свободными, добавляются, в кристалл. Такой примесный полупроводник называют электронным или полупроводником п-типа. Основными носителями зарядов в нем являются электроны, а неосновными - дырки, имеющиеся в обычных условиях в значительно меньшем количестве. [16]
Донорными примесями для материалов типа AIJIBV служат теллур, селен и сера; акцепторными примесями - цинк, кадмий, серебро и азот. Активными примесями в карбиде кремния являются алюминий и азот, в сернистом цинке - медь, серебро, алюминий, марганец и лан-таниды. В источниках на основе сернистого цинка в качестве исходных материалов используют люминофоры марки ЭЛ. В управляемых оптических средах осуществляют модуляцию одного из параметров светового поля ( амплитуды, фазы, поляризации) или отклонение светового луча по заданному закону ( дефлекторы) на основе различных физ. В этих кристаллах реализуется линейный электрооптический эффект. Квадратичный электрооптический эффект используют в центросимметричных веществах, напр. Применяются магнитооптические материалы типа железоиттриевых и железога-долиниевых гранатов; перспективны тонкие монокристаллы и пленки с доменной структурой, напр. Для модуляции излучений спонтанных источников, не являющихся строго монохроматичными, используют прозрачную сегнето-электрическую керамику на основе титаната и цирконата свинца, легированного лантаном, и жидкие кристаллы. Наиболее широко применяют сегнетоэлектрическую керамику типа ЦТСЛ с размерами зерен 1ч - 5 мкм. [17]
Донорной примесью для германия является, например, мышьяк. Атом мышьяка имеет пять валентных электронов. При замещении в кристаллической решетке атома германия атомом мышьяка четыре валентных электрона мышьяка образуют заполненные связи с соседними атомами германия, а пятый электрон окажется слабо связанным с атомом мышьяка и под действием теплового движения или электрических сил может перемещаться между атомами германия. [18]
Донорными примесями, наиболее широко используемыми при легировании полупроводниковых материалов, являются элементы V группы периодической системы - фосфор, мышьяк и сурьма. При легировании кремния для формирования слоев с электронной электропроводностью чаще других используют фосфор. Это обусловлено тем, что фосфор хорошо растворяется в кремнии, имеет наибольший коэффициент диффузии, а его летучие соединения наименее токсичны. Сурьму и мышьяк применяют при формировании в кремнии сильно легированных скрытых областей, на поверхности которых впоследствии выращивают эпитаксиальные слои. Малые значения коэффициентов диффузии сурьмы и мышьяка предотвращают интенсивное размытие примесного профиля в процессе эпитаксиального наращивания. [19]
 |
Полупроводниковый выпрямитель ( вентиль. [20] |
Донорной примесью для германия является, например, мышьяк. Атом мышьяка имеет пять валентных электронов. При замещении в кристаллической решетке атома германия атомом мышьяка четыре валентных электрона мышьяка образуют заполненные связи с соседними атомами германия, а пятый электрон окажется слабо связанным с атомом мышьяка и под действием теплового движения или электрических сил может перемещаться между атомами германия. [21]
Донорными примесями для кремния обычно являются фосфор или сурьма - элементы V группы. У этих элементов атомы имеют по пять валентных электронов, четыре из которых образуют ковалентные связи с четырьмя соседними атомами кристалла полупроводника, а пятые электроны, являясь свободными, добавляются в кристалл. Такой примесный полупроводник называют электронным или полупроводником ЛГ-типа. Основными носителями зарядов в нем являются электроны, а неосновными - дырки, имеющиеся в обычных условиях в значительно меньшем количестве. [22]
Важнейшими донорными примесями в кремнии являются фосфор и мышьяк, в германии - мышьяк и сурьма. [23]
Лучшими донорными примесями ( обеспечивающими проводимость в Ge / г-типа) является сурьма, фосфор и мышьяк. Донорные примеси легче поддаются осаждению. Лучшими акцепторными примесями в Ge являются галий и бор. [24]
 |
Зоны Бриллюэна и энергетический спектр 2 / / - SiC. [25] |
Наиболее изученной донорной примесью в карбиде кремния является азот. [26]
Если донорная примесь полностью ионизирована, то n Nd. Из приведенной формулы следует [ если заменить в выражении ( 771) пна Nd ] 4to чем меньше степень легирования и чем больше Vk, тем больше глубина проникновения в полупроводник электрического поля, вызванного контактной разностью потенциалов. [27]
 |
Энергетические зоны в примесных полупроводниках п - я р-типа. [28] |
При донорной примеси ( рис. 54) примесные атомы отдают электроны в пустую зону, делая ее зоной проводимости с образованием полупроводника / г-типа. При акцепторной примеси примесные атомы получают электроны от валентной зоны, что придает ей дырочную проводимость с образованием полупроводника р-типа. [29]
Введение донорной примеси - окисла трехвалентного металла ( А1203 или Ga203) в ZnO увеличивает концентрацию свободных электронов и скорость Н2 - В2 - обмена; введение акцепторной примеси - окисла одновалентного металла ( 1Л20) - уменьшает концентрацию свободных электронов и скорость обмена. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5