Донорная примесь
Cтраница 4
 |
Электропроводность полупроводника - типа.| Электропроводность полупроводника р-типа. [46] |
В качестве донорных примесей для германия и кремния используют элементы: Р, As, Sb. [47]
В качестве донорных примесей в ZnO могут быть также атомы водорода, алюминия и индия. Литий при низких температурах образует растворы внедрения. При высоких температурах он дает дефекты замещения, а потому функционирует как акцептор. Энергия ионизации примесных атомов цинка и водорода равна 0 02 эв. [48]
 |
Схема энергетических уровней в металле и полупроводнике. [49] |
В случае донорной примеси эти уровни оказываются заполненными электронами, а в случае акцепторной примеси - незаполненными. [50]
В случае донорных примесей на локальных уровнях в ПП находятся электроны, для перевода к-рых в зону проводимости и осуществления примесной электронной проводимости ПП необходимо преодолеть сравнительно небольшую энергетич. В случае акцепторных примесей локальные уровни вакантны и на них сравнительно легко ( AW AW) могут переходить электроны из валентной зоны с образованием в последней дырок, обусловливающих примесную дырочную проводимость ПП. [51]
 |
Потенциальная ( а и энергетическая ( б диаграммы беспримесного полупроводника. [52] |
В случае донорной примеси четыре валентных электрона примесного атома, например фосфора ( рис. 9 - 3, я), образуют с валентными электронами четырех соседних атомов кремния парноэлект-ронные ковалентные связи. Поскольку ковалентная связь насыщенная, пятый валентный электрон не участвует ни Б ОДНОЙ КОВа-лентной связи; он связан с ядром атома фосфора кулоновским взаимодействием. [53]
 |
Изготовление биполярных транзисторов методом планарно-диффузионной технологии.| Изготовление биполярной транзисторной структуры с помощью эпи-таксиально-планарной технологии. [54] |
В-результате диффузии донорной примеси в исходной пластинке образуются коллекторные области транзисторов. Далее ( рис. 9.3, в) производят повторную диффузию акцепторной примеси с целью получения базовой области. Третья диффузия ( рис. 9.3, г) приводит к образованию эмиттера. После этого осуществляют омический контакт с областями коллектора, базы и эмиттера и создают контактные площадки, к которым впоследствии можно присоединять внешние выводы. [55]
 |
Потенциальная ( а и энергетическая ( б диаграммы беспримесного полупроводника. [56] |
В случае донорной примеси четыре валентных электрона примесного атома, например фосфора ( рис. 9 - 3, я), образуют с валентными электронами четырех соседних атомов кремния парноэлект-ронные ковалентные связи. Поскольку ковалентная связь насыщенная, пятый валентный электрон не участвует ни Б ОДНОЙ КОВа-лентной связи; он связан с ядром атома фосфора кулоновским взаимодействием. [57]
Каждый атом донорной примеси может отдать один электрон, каждый атом акцепторной примеси - принять один электрон. Чем больше, например, атомов донорной примеси находится в объеме данного полупроводника, тем выше концентрация электронов, хотя существование их не связано с одновременным наличием такого же количества дырок. [58]
Если концентрация донорной примеси Nd и золота JV удовлетворяет неравенству NNa 2N, то в этом случае электроны с мелких донорных уровней перейдут на два нижних акцепторных уровня золота. Акт рекомбинации инжектированной в базу дырки будет состоять в этом случае из двух этапов: 1) захват дырки на уровень Аи2 - и превращение Аи2 в Аи -, 2) захват электрона на этот уровень. [59]
Для случая донорной примеси Sn им пришлось использовать результат теории связанных мод в соответствии с выражением (4.41), с поправкой по теории возмущения для двухфононно возбуждаемого электронного состояния с энергией 2Е0 Ее. Расчетные данные для Ев не совпадают с экспериментальными. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5