Принцип - работа - транзистор
Cтраница 1
Принцип работы транзистора п-р-п-ти - па аналогичен рассмотренному выше, но роль дырок играют электроны. Существуют и другие типы транзисторов, так же как и другие схемы их включения. [1]
Принцип работы транзистора п-р-п-пша. [2]
 |
Схема включения транзистора типа п-р - п. [3] |
Принцип работы транзистора проще уяснить, рассмотрев транзистор типа n - p - п, который по характеру происходящих в нем процессов до некоторой степени более близок к вакуумному триоду. [4]
Принцип работы транзистора основан на управлении токами электродов в зависимости от подведенных к его переходам напряжений. В общем случае эти зависимости являются сложными, поэтому проведем анализ на упрощенной модели транзистора без учета ряда факторов, влияющих на его свойства. На обоих переходах устанавливаются равные электрические потенциалы фо0, показанные на рис. 3.13, б пунктирной линией. [5]
 |
Устройство и принцип действия полевого транзистора с управляющим р-п переходом. [6] |
Принцип работы транзистора основан на прохождении тока по каналу, поперечное сечение которого зависит от толщины р-п перехода. [7]
 |
Структура ( а и эквивалентная схема ( в транзистора с инжекционным питанием.| Структура транзистора с иижск-ционным питанием и с инжектором в глубине кристалла. [8] |
Принцип работы транзистора зависит от способа его включения. Одним из режимов работы транзистора являются прямое включение инжекторного перехода рг - % и отсутствие внешнего смещения на коллекторном переходе. Прямо смещенный инжекторный переход инжектирует дырки в область эмиттера п электронейтральность этой области восстанавливается электронами, поступающими из омического контакта. Избыточные электроны и дырки, попадая вследствие диффузии в область объемного заряда на эмит-терном переходе, частично его компенсируют, в результате чего возникает слабое прямое смещение эмиттерного перехода. Через прямо смещенный эмиттерный переход происходит инжекция электронов в базу ра и вследствие механизма, аналогичного тому, который имеет место в эмиттерном переходе, коллекторный переход также смещается в прямом направлении. [9]
 |
МДП инвертор. [10] |
Принцип работы МДП транзистора с индуцированным каналом можно рассмотреть на примере р-канального прибора, структурная схема которого показана на рис. 7.50, а. При приложении между затвором и подложкой отрицательного напряжения Ua U0 под затвором образуется проводящий канал. Напряжение 1 / о называется пороговым. [11]
 |
Статические характеристики транзистора. а - выходные, б - входные. [12] |
Принцип работы транзистора типа р - п - р такой же, как и типа п - р - п, но полярность включения источников питания противоположная. [13]
Принцип работы транзистора типа р - п - р такой же, как и типа п - р - п, а полярность включения источников питания противоположная. [14]
 |
Структура транзистора р-п - р типа ( а и п-р - п типа ( б. [15] |
Страницы: 1 2 3 4