Принцип - работа - транзистор
Cтраница 2
Принцип работы транзисторов р-п - р и п-р - п одинаков, различие заключается лишь в полярности внешних источников напряжений и в направлении протекания токов через электроды. Поэтому все выводы, сделанные в этой главе для р-п - р транзистора, применимы и к п-р - п транзистору. [16]
 |
Характеристики транзистора. Q - коллекторные. б - эмиттерны-е. [17] |
Принцип работы транзистора типа п-р - п аналогичен рассмотренному принципу работы транзистора типа р-п - р Разница состоит в том, что в транзисторе типа п-р - п напряжения подводятся с противоположной полярностью, а ту роль, которую играли дырки, здесь выполняют свободные электроны. [18]
Принцип работы транзистора типа п-р - п такой же, как и типа р-п - р, а полярность включения источников питания противоположная. [19]
Принцип работы транзистора типа п-р - п отличается от принципа работы транзистора типа р-п - р тем, что в первом напряжения, приложенные для его нормального включения, имеют противоположную полярность, а неосновными носителями зарядов в базе являются свободные электроны. [20]
 |
Характеристики транзистора. [21] |
Принцип работы транзистора типа п-р - п аналогичен рассмотренному принципу работы транзистора типа р-п - р Разница состоит в том, что в транзисторе типа п-р - п напряжения подводятся с противоположной полярностью, а ту роль, которую играли дырки, здесь выполняют свободные электроны. [22]
Рассмотрим принцип работы транзистора. Когда ключ К на рис. 5.9 разомкнут, ток в цепи эмиттера отсутствует. При этом в цепи коллектора имеется небольшой ток, называемый обратным током коллектора и обозначаемый / с во. Этот ток очень мал, так как при обратном смещении коллекторного перехода потенциальный барьер велик и непреодолим для основных носителей - дырок коллектора и свободных электронов базы. Коллектор легирован примесью значительно сильнее, чем база. Вследствие этого неосновных носителей в коллекторе значительно меньше, чем в базе, и обратный коллекторный ток создается главным образом неосновными носителями: дырками, генерируемыми за счет тепловых колебаний решетки в базе, и электронами, генерируемыми в коллекторе. [23]
В чем заключается принцип работы транзистора. [24]
Перенесение рассмотренных ранее принципов работы транзисторов в твердые интегральные микросхемы не позволяет превысить предел плотности интеграции ( уна-ковки) в 100 элементов / мм3, так как начинает сказываться сложность технологии их изготовления. С увеличением числа элементов резко возрастает процент брака в производстве интегральных схем. Оптимальная степень интеграции, достигнутая в твердых интегральных микросхемах, составляет плотность интегральных микросхем, на которых работает третье поколение вычислительных машин. [25]
 |
Конструкция транзистора ири-типа. [26] |
Самое простое объяснение принципа работы транзистора: маленький ток, поступающий на базу, управляет большим током, текущим на коллектор. Для рпр-типа транзистора наоборот: маленький ток из базы управляет большим током, текущим из коллектора, оба тока текут к эмиттеру. [27]
 |
Конструкция транзистора прп-типа. [28] |
Самое простое объяснение принципа работы транзистора; маленький ток, поступающий на базу, управляет большим током, текущим на коллектор. Для pnp-muna транзистора наоборот: маленький ток из базы управляет большим током, текущим из коллектора, оба тока текут к эмиттеру. [29]
 |
Энергетические диаграммы. [30] |
Страницы: 1 2 3 4