Принцип - работа - транзистор
Cтраница 3
Рассмотрим в общих чертах принцип работы транзистора на его упрощенной модели. В качестве такой модели изберем сплавной р-п - р транзистор, включенный по схеме с общей базой. [31]
Приведенное выше качественное описание принципа работы транзистора предполагало диффузионный механизм переноса неосновных носителей через область базы. [32]
Приведенные выше сведения о принципе работы транзистора и об его усилительных свойствах можно дополнить весьма полезными данными по статическим характеристикам транзистора. [33]
 |
Усилитель с ОБ. [34] |
В предыдущем параграфе при рассмотрении принципа работы транзистора постоянные напряжения на эмиттер и коллектор подавались относительно базы, выполняющей роль общей точки. [35]
Необходимо сразу отметить, что из-за самого принципа работы транзистора часть тока эмиттера протекает по цепи базы и, следовательно, по его входной цепи расходуется определенный ток и мощность. [36]
Принцип работы транзистора типа п-р - п отличается от принципа работы транзистора типа р-п - р тем, что в первом напряжения, приложенные для его нормального включения, имеют противоположную полярность, а неосновными носителями зарядов в базе являются свободные электроны. [37]
 |
Семейства входных ( а и выходных ( б характеристик транзистора, включенных по схеме с ОБ. [38] |
Принцип работы транзистора для всех схем включения одинаков. [39]
На рис. 7.16 иг даны условные обозначения транзисторов. Принцип работы транзисторов обоих типов аналогичен. [40]
 |
Конструкция и размеры сплавного германиевого транзистора р-п - р малой мощности. [41] |
Как было указано, транзистор в наиболее распространенном варианте представляет собой комбинацию двух р-п-переходов, имеющих одну общую область. Принцип работы транзисторов обоих типов совершенно одинаков, разница заключается лишь в направлениях токов и полярностях внешних источников. [42]
В справочнике приведены сведения о параметрах биполярных и полевых транзисторов ( в том числе лавинных, однопереходных, двухэмиттерных, силовых), а также сборок на их основе, режимах измерения, предельно допустимых параметрах режимов эксплуатации. Изложены принципы работы транзисторов, системы их классификации, даны габаритные чертежи. Приведены графические обозначения транзисторов, условные обозначения параметров и основные нормативно-технические документы по транзисторам. Рассмотрены некоторые особенности применения транзисторов, даны рекомендации по их использованию в аппаратуре. [43]
Пусть прямоугольный импульс тока проходит через цепь эмиттера транзистора, включенного по схеме с общей базой. Исходя из принципа работы транзистора, для того чтобы получить усиление, в базу должны быть инжектированы носители заряда, для чего требуется изменение напряжения на эмит-терном переходе. [44]
В нормальном режиме работы транзистора на один из его р-я-пе-реходов со стороны эмиттера подается прямое напряжение смещения, а на другой со стороны коллектора - обратное, как показано на рис. 2.7, на котором изображена идеализированная структура транзистора типа я-р-я, не содержащая пассивных областей. При рассмотрении принципа работы транзистора и выводе основных соотношений будем предполагать, что неосновные носители заряда распространяются в активных областях транзисторной структуры только под действием градиента их концентрации. [45]
Страницы: 1 2 3 4