Принцип - работа - транзистор
Cтраница 4
 |
Искажение сигнала из-за влияния барьерной емкости эмиттера.| Искажение сигнала при прохождении неосновных носителей заряда через базу. [46] |
Пусть прямоугольный импульс тока проходит через цепь эмиттера транзистора, включенного по схеме с общей базой. Исходя из принципа работы транзистора, для того чтобы получить усиление, в базу должны быть инжектированы носители заряда, для чего требуется изменение напряжения на эмиттерном переходе. [47]
 |
Искажение сигнала из-за влияния барьерной емкости эмиттера. [48] |
Пусть прямоугольный импульс тока проходит через цепь эмиттера транзистора, включенного но схеме с общей базой. Исходя из принципа работы транзистора, для того чтобы получить усиление, в базу должны быть инжектированы носители заряда, для чего требуется изменение напряжения на эмиттерном переходе. [49]
В рассмотренных вариантах базовых ячеек показан так называемый металлический затвор. Тип затвора не изменяет принципа работы транзистора. Следует, однако, иметь в виду, что металлический затвор обладает значительно меньшим сопротивлением, что делает его предпочтительным в высокочастотных транзисторах. [50]
Дело в том, что при любой схеме соединения двух полупроводниковых диодов ток каждого из них зависит только от величины и полярности приложенного к нему напряжения и не зависит от электрического состояния другого диода, тогда как ток коллекторного перехода транзистора находится в прямой зависимости от величины тока, протекающего через эмиттерный переход. Это свойство и положено в основу принципа работы транзистора. [51]
Предполагается, что читатели уже знакомы с устройством и принципом работы транзисторов, диодов и имеют некоторый опыт конструирования радиоприемной и усилительной аппаратуры, поэтому их описание в книге опущено. Главным же ее содержанием являются опыты, эксперименты, которые, как мы считаем, позволяют лучше освоить практическую сторону применения цифровых микросхем. [52]
При рассмотрении процессов, происходящих в транзисторе, его удобно представлять плоскостными структурными схемами. Изображенный на рис. 1.25 транзистор в виде структурной схемы показан на рис. 1.26, а. На рис. 1.26, б показан транзистор с другим чередованием областей ( n - p - п), на рис. 1.26, в, г - соответствующие структурным схемам условные обозначения транзисторов. Разницы в принципе работы транзисторов обеих структур нет, но полярность подключения выводов к источнику питания противоположная. [53]
При рассмотрении процессов, происходящих в транзисторе, его удобно представлять плоскостными структурными схемами. Изображенный на рис. 17.1 транзистор в виде структурной схемы показан на рис. 17.2, а. На рис. 17.2 6 показан транзистор с другим чередованием областей ( п-р - н), на рис. 17.2, в, г - соответствующие структурной схеме условные обозначения транзисторов. Разницы в принципе работы транзисторов обеих структур нет, но полярность подключения выводов к источнику питания противоположная. [54]
Время покажет, можно ли отнести изобретение транзистора к числу крупнейших открытий нашего столетия, но уже теперь ясно, что в областях электроники и радиотехники это открытие произвело революцию и, по всей вероятности, приведет к дальнейшему прогрессу и коренным изменениям, затрагивающим самые основы этих наук. Хотя целый ряд проблем еще ожидает своего разрешения, все же в этой области уже достигнуты значительные успехи и это, конечно, гарантирует дальнейший прогресс в деле серьезного изучения вопроса. Совершенно очевидно, что в этой новой и увлекательной области наиболее успешно смогут работать те, кто хорошо знаком с принципами работы транзисторов и осведомлен о возможностях их применения. [55]
В приведенных схемах включения транзистора на его коллектор подан плюс. Широко распространены конструкции, в которых проводимость основания не дырочная, а электронная. Проводимость поверхностных слоев, наоборот, дырочная. Полярность батарей изменяется, на эмиттер подается положительное, а на коллектор - отрицательное напряжение. Эмиттер в этом случае эмитирует уже не электроны, а дырки. Сам же принцип работы транзистора от этого не меняется. [56]
В приведенных схемах включения транзистора на его коллектор подан плюс. Широко распространены конструкции, в которых проводимость основания не дырочная, а электронная. Проводимость поверхностных слоев, наоборот, дырочная. Полярность батарей изменяется: на эмиттер подается положительное, а на коллектор - отрицательное напряжение. Эмиттер в этом случае эмигрирует уже не электроны, а дырки. Сам же принцип работы транзистора от этого не меняется. [57]
Стабильность работы полупроводниковых триодов долгое время была и сейчас остается одной из важнейших проблем транзисторной техники. Как указывалось выше, колебания температуры приводят к изменениям параметров транзисторов. Но, кроме того, даже при неизменных внешних условиях иногда имеют место самопроизвольные изменения отдельных характеристик триода. После включения транзистора ток / К0 несколько меняется ( как правило, уменьшается в два раза и более), пока не достигает установившейся величины. Величины / К0 и р меняются не только в рабочих условиях, но и при хранении. Такие изменения связаны отнюдь не с принципом работы транзисторов, а с технологическими дефектами. Хорошая механическая, электрическая и химическая обработка обеспечивают более высокую стабильность параметров полупроводников, лучшую даже, чем у электронных ламп. Это тем более важно, что срок службы транзисторов ( десятки тысяч часов) намного превосходит время работы обычных вакуумных ламп. Особенно плохо на надежность работы и стабильность параметров транзисторов влияют перенапряженные режимы. Поэтому при конструировании аппаратуры следует по возможности облегчить тепловой режим и герметизировать аппаратуру, работающую в условиях повышенной влажности, исключить превышение допустимых напряжений и особенно допустимых средних токов и мощностей. [58]
Страницы: 1 2 3 4