Послойный анализ

Cтраница 1

Послойный анализ показал, что в нижнем слое антисептика достаточно для предохранения волокна от загнивания. [1]

Послойный анализ позволяет проводить хроматографи-ческое разделение радиоактивных веществ непосредственно в колонках. [2]

Послойный анализ образцов можно проводить двумя способами: либо напиливать порошок с поверхности образца и изучать его фазовый состав, что не всегда целесообразно из-за возможных фазовых превращений, либо удалять шлифованием или полированием слои с поверхности образца и изучать структуру поверхности после каждого снятия слоя. [3]

Послойный анализ испытуемых пластинок свинцовистой меди и изучение состояния поверхности металла под микроскопом пока-зали что практически все испытанные сернистые соединения в большей или меньшей степени способны предохранять свинец от вымывания. [4]

При послойном анализе наводорожен-ных образцов было обнаружено, что на монотонной кривой, характеризующей снижение концентрации водорода с удалением от наводороживаемой поверхности, периодически наблюдаются пики, отвечающие аномально высоким содержаниям водорода. Эти пики удалось объяснить лишь тем, что при низких температурах водород по границам зерен диффундирует значительно быстрее, чем по телу зерна. Отсюда следует, что при низкотемпературном наводорожива-нии концентрация водорода по границам зерен значительно больше его средней концентрации. [5]

Частным случаем послойного анализа является регистрация поверхностных загрязнений, что играет большую роль при разработке методов удаления примесей с поверхности подложек перед выращиванием тонких пленок. В настоящее время методикам очистки поверхности полупроводниковых пластин, а также ее обработки без внесения вредных примесей уделяется большое внимание. В числе задач определения поверхностных загрязнений можно также назвать сорбцию десорбцию примесей, изучение реакций на поверхности твердого тела и другие. [6]

Глазная задача послойного анализа состоит в сравнении содержания элементов на различном удалении от поверхности пробы. Поэтому необходимость введения коэффициентов относительной чувствительности для определения действительной концентрации примесей в каком-либо из слоев пробы возникает лишь в некоторых специальных случаях. [7]

На результаты послойного анализа оказывает влияние лишь перенос вещества между электродами. Систематическая ошибка, вызванная влиянием памяти, учитывается с помощью выражения (5.7) после проведения послойного анализа эталонных: образцов. [8]

Во время послойного анализа твердых тел вещество распыляется с относительно большой площади поверхности пробы ( 100 - 300 мм2), поэтому влияние неоднородности распределения примесей на результаты послойного анализа уменьшается. Алюминиевая пленка исключает зависимость УСЛОВИЙ нскрооб-разования от сопротивления пробы. Энергия, выделяющаяся на электродах в момент пробоя вакуумного промежутка, поддерживается постоянной благодаря регулированию межэлектродного зазора. Об этом, в частности, свидетельствует сравнительно высокая стабильность ионного тока. Кроме того, в течение всего эксперимента практически не изменяется местоположение искрового разряда относительно входной щели масс-анализато-ра, поэтому остается постоянным распределение плотности ионного тока по сечению пучка и улучшается точность измерения экспозиции коллектором монитора. [9]

Для количеств, послойного анализа экспериментально измеряют зависимости аналит. При этом пользуются расчетными или более точными эмпирич. В первом случае необходима теоретич. При анализе многослойных гетероструктур необходимо учитывать влияние гетерог. [10]

Изменение показаний трехчастотио-го резонансного структу-роскопа по мере стравливания поверхности цементированного образца. - 3 кгц. О - 50 кгц. X - 500 кгц. [11]

Важно подчеркнуть возможность послойного анализа за счет изменения рабочей частоты струк-туроскопа и подмагничивания материала. Вихревые токи убывают по экспоненциальному закону. Если глубина проникновения вихревых токов и глубина диффузии углерода отличаются на порядок, то вносимые потери и индуктивность на цементированной стали будут примерно такими же, как и при испытании стали с повышенным содержанием углерода. [12]

Следовательно, при послойном анализе обеспечиваются наиболее воспроизводимые условия пробоотбора, ценообразования и переноса заряженных частиц через систему масс-аналпзатора. Это должно привести к улучшению воспроизводимости масс-спектрометрических измерений. Поэтому можно предположить, что при сканировании поверхности перестает играть заметную роль погрешность, вызванная неоднородностью исследуемого объекта, п точность результатов определяется в основном непостоянством плазмы искрового разряда и условиями детектирования ионов фотопластиной. [13]

Новой актуальной задачей является послойный анализ некоторых чистых материалов, в первую очередь эпитаксиальных полупроводниковых структур. Для ее решения требуется разработать воспроизводимые и контролируемые химические или электрохимические способы снятия очень тонких ( микронных) слоев пробы и чрезвычайно чувствительные методы спектрального определения ультрамалых абсолютных количеств примесей. [14]

В табл. 2 приведен послойный анализ отложений. Известно, что при движении жидкости в трубе скорости потока по сечению распределяются по параболе. Если рассматривать движение отдельных групп углеводородов, входящих в транспортируемую нефть, то наибольшей сопротивляемостью будут обладать асфальтены и смолы, а наименьшей - парафины, у которых вязкость наименьшая. Находящиеся у стенки трубы углеводороды с большей вязкостью отстают от общего потока и вынужденно уходят к центру, а их место занимают менее вязкие компоненты. [15]

Страницы: 1 2 3 4