Послойный анализ

Cтраница 2

СД процессы используют для послойного анализа хим. состава твердых систем ( с использованием метода лазерного испарения); для нанесения защитных покрытий на микросферы ядерного топлива, на пов-сти разл. [16]

Этот вариант является основой послойного анализа. [17]

Для изоляции фаз при послойном анализе покрытий на ниобиевых сплавах применено последовательное послойное растворение фаз электролитическим и химическим методами. [18]

Примечательно, что при послойном анализе отложений некоторые авторы обнаружили во внутренних слоях повышенное содержание легкоплавких минеральных соединений, которые, по-видимому, образуются путем конденсации. По мере нарастания слоя отложений температура соприкасающейся с газами поверхности возрастает и физическая картина их образования меняется. [19]

В ряде случаев целесообразно проводить послойный анализ отложений, осторожно соскребая ножом сперва наружный слой накипи, затем средний л, наконец, слой, прилегающий к металлу, и снимая отдельные рентгенограммы с полученных этим путем образцов. Это позволяет судить о динамике процесса образования накипи. [20]

Кинетика сорбции и полимеризации газофазного синтеза полифосфатов.| Зависимость относительной высоты h масс-спектрометрических пиков элементов основных компонентов полифосфатного покрытия ( газофазный синтез от глубины лазерного зондирования б. / - магний. 2 - кремний. 3 - фосфор. [21]

При исследовании был применен метод послойного анализа на время-пролетном лазерном масс-спектрометре. [22]

Профиль рас - j пределения бора в бо - 21 5л росилпкатном стекло. [23]

Наиболее удобными полирующими травптелями для химико-спектрального послойного анализа арсеппда галлия являются метанольпые растворы брома. Бром и метанол ( компоненты травите-ля) хорошо очищаются перегонкой, а травильный раствор легко выпаривается на графитовом коллекторе при температуре, близкой к комнатной. [24]

В связи с тем что для послойного анализа полупроводниковых пленок был выбран алюминий - материал с наиболее высоким относительным выходом ионов, - дальнейшие эксперименты проводились с электродами, один из которых был изготовлен из кремния ( пластина диаметром 25 - 30 мм и толщиной 0 1 - 0 2 мм), а второй - из алюминия; сечение противо-электрода 3 5х ( 0 05 - 0 5) мм. [25]

Рентгеновский спектр в РСМА. 1 - линия харпктеристич. рентгеновского излучения. 2 -непрерывное рентгеновское излучение без поглощения ( фон. 3 -область самопоглошевих непрерывного рентгеновского излуче. [26]

РСМА удается проводить количеств, анализ субмикронных слоев и послойный анализ с разрешением по глубине Ь 0 1 мкм. [27]

Применение ионного распыления поверхности объекта и реализация благодаря этому послойного анализа значительно расширяют возможности ОЭС. Последовательное удаление слоев осуществляется с помощью ионной пушки, в качестве рабочего-газа обычно применяются аргон, неон, ксенон. Распыление производится на площади в несколько квадратных мм, а возбуждение Оже-электронов - в центре кратера в области - lCh4MM2 Распределение по толщине слоя амплитуды производной сигнала Оже-электронов, пропорционального концентрациям элементов, дает ценную информацию о составе и характере поверхностных и промежуточных слоев, возникающих в процессе роста, в результате поверхностных реакций и др. Если толщина распыляемого слоя известна, можно определить скорость распыления. [28]

Высокая абсолютная чувствительность метода позволяет успешно применять его для послойного анализа. Глубина поражения искрового пробоотбирающего разряда составляет десятые доли микрометра и более в зависимости от параметров искрового разряда. [29]

Содержание компонентов золы в отложениях на поверхностях нагрева. [30]

Страницы: 1 2 3 4