Проводимость - кристалл
Cтраница 1
Проводимость кристаллов определяется распределением электронов по уровням. Следующая - разрешенная - зона ( зона проводимости) не содержит электронов. Ширина запрещенной зоны, разделяющей валентную зону и зону проводимости, велика, так что электроны IB обычных условиях не могут ее перепрыгнуть. В силу симметрии кристалла количество электронов, находящихся в валентной зоне и движущихся в противоположные стороны, одинаково - электрический ток отсутствует. В присутствии поля ни один из электронов не может изменить своего движения ( например, сменить импульо по полю на импульс против поля), так как лет свободней энергетических состояний в зоне. [1]
Если проводимость кристалла возникает в связи с присутствием в кристалле постороннего вещества, то, пропуская через кристалл сильный ток при высокой температуре, можно способствовать удалению этого вещества. После прохождения этого тока в течение достаточно долгого времени, удаляя слои кристалла, находившиеся в непосредственной близости к электродам, удается получить постоянную, сильно уменьшившуюся ( иногда в 50 раз) э лектр опров одность. [2]
Если проводимость кристалла возникает в связи с присутствием в кристалле постороннего вещества, то, пропуская через кристалл сильный ток при высокой температуре, можно способствовать удалению этого вещества. [3]
Зона проводимости кристалла является для лишних электро-нов примесных атомов областью их ионизации. Ионизационный потенциал для этих электронов уменьшается благодаря диэлектрическим свойствам среды, следовательно, уменьшается энергия, необходимая для перевода электронов локальных у ровней, примеси в зону проводимости. [4]
 |
Простейшая зонная схема ZnS-Cu, С1 - фосфора. [5] |
Так называют проводимость кристаллов в невозбужденном состоянии. [6]
Электролитический характер проводимости кристалла доказывается применимостью закона Фарадея ( выделение ионов на электродах) и отсутствием эффекта Холла; неприменимость законов Фарадея и наличие холл-эффекта свидетельствуют об электронном характере проводимости. [7]
Изменение типа проводимости кристаллов при легировании вызывает изменение сил связи в решетке и изменяет величину барьера Пайерлса для движения дислокаций. [8]
Вследствие компенсации поляризационных зарядов из-за проводимости кристалла, а также в результате оседания ионов из воздуха, постоянная спонтанная поляризация не наблюдается. Однако она проявляется при нагревании кристалла. Вследствие теплового расширения изменяется расположение ионов в элементарной ячейке, а следовательно, изменяются ее дипольный момент и поляризованность кристалла. Это изменение и проявляется как возникновение поляризационных зарядов на гранях кристалла. [9]
Как было указано выше, проводимость кристалла обусловлена наличием в нем дефектов. Последние могут диффундировать, а также перемещаться в электрическом поле. [10]
Наличие примесей железа существенно изменяет проводимость кристаллов и влияет на длину дрейфа и диффузии электронов. В различных кристаллах эти величины варьируются от единиц ангстрем до единиц микрометров. [11]
В результате таких процессов фотоионизации проводимость кристалла может увеличиться в сотни и тысячи раз. Это явление носит название фотопроводимости. [12]
Изучены зависимости диэлектрической проницаемости и проводимости кристалла от температуры. На рис. 6 а, б показан температурный ход диэлектрической проницаемости при частотах 20 и 5 кгц. [13]
Как влияют дефекты кристаллической решетки на проводимость кристалла. [14]
 |
Решетка с. [15] |
Страницы: 1 2 3 4