Проводимость - кристалл
Cтраница 4
 |
Поглощение светового кванта в полупроводнике ( фосфиде галлия. [46] |
Интенсивное поглощение начинается при AE hv и имеет следствием тот факт, что освобожденные электроны значительно повышают проводимость кристалла. [47]
Во-первых, состояния, при которых свободный электрон решетки ( принадлежавший в случае бесконечно удаленной молекулы зоне проводимости кристалла) продолжает оставаться свободным. [48]
Возможность образования инверсионного состояния кристалла достигается введением примесей и образованием дополнительных энергетических уровней между валентной зоной и зоной проводимости кристалла. Эти уровни локализуются вблизи атомов примесей и играют роль потенциальных ям для электронов. [49]
Для большинства твердых фотолюминесцирующих тел, называемых люминофорами, поглощение фотона вызывает переход электрона или иона в зону проводимости кристалла. Излучение фотона люминесценции в этом случае связано с переходом фотоэлектрона из зоны проводимости на энергетический уровень иона примеси, косящей название активатора. [50]
Какова сила этого побочного тока по отношению к главному - это зависит, очевидно, от соотношения между проводимостью кристалла и поверхностного слоя. Состояние изоляционного кольца влияет и на количество электричества, индуктируемого на электроде; действительно, можно было наблюдать, что при плохой изоляции потенциал, определяемый формулой ( 2), процента на 3 больше, чем при хорошей. [51]
Это обстоятельство является основным фактором, обеспечивающим в области умеренных и низких температур значительно более высокую проводимость структурно-разупоря-доченных фаз по сравнению с проводимостью кристаллов с собственной разупорядоченностью типа Френкеля или Шоттки. [52]
Первоначальный трехвалентный атом приобретает один внешний отрицательный заряд и заполняет целиком свою внешнюю оболочку, поэтому этот добавочный отрицательный заряд неподвижен и неспособен увеличить проводимость кристалла в отличие от блуждающих дырок. [53]
Если кристалл достаточно долго находится при постоянной температуре, то избыточные заряды на его поверхности компенсируются из-за собственной - хотя бы и ничтожно малой - проводимости кристалла и из-за взаимодействия с заряженными ионами воздуха, и кристалл в целом не обнаруживает электрической поляризации. Если же температура всего кристалла однородно изменяется, тогда анизотропно меняются расстояния и углы между частицами, меняется существующая внутри кристалла спонтанная поляризация, смещаются электрические заряды диполей и в кристалле возникает постоянная поляризация вдоль определенного направления, называемого электрической осью. [54]
Валентные электроны прочно связаны с кристаллической решеткой ( энергия их связи - 1 1 эв) и поэтому в нормальном состоянии они не могут участвовать в проводимости кристалла. [55]
Кроме того, найденное Гиллео значение работы выхода соответствует в схеме Шамовского и Родионовой разности энергий между верхним краем заполненных уровней металлического серебра и нижним краем зоны проводимости кристалла, что в спектре поглощения должно соответствовать длинноволновому краю А-по-лосы, а не ее максимуму. [56]
Страницы: 1 2 3 4