Проводимость - кристалл
Cтраница 3
Наблюдение пироэлектрического эффекта и измерение его коэффициентов сильно осложняются проводимостью кристалла. Кроме того, каждый пироэлектрический кристалл также является и пьезоэлектриком. Изменение температуры кристалла, особенно неоднородное, вызывает деформацию кристалла, а результатом деформации является пьезоэлектрическая поляризация, которая добавляется к поляризации, вызванной пироэффектом. [31]
 |
Концентрации дефектов в системе AgBr Си ( а и соответствующее изменение ионной проводимости в этой системе ( б. Случай, когда медь одновалентна и располагается в междоузлиях и узлах решетки. [32] |
При этом образующиеся в окислительных условиях ионы Си2 влияют на проводимость кристалла точно так же, как и более стабильные двухвалентные ионы Cd2, Ca2 и др. Таким же образом в этих работах объясняется влияние одновалентной меди на способность кристаллов к окрашиванию. Присутствие Сиа действительно было доказано с помощью парамагнитного резонанса [60] и поэтому должно быть учтено. Последнее можно сделать различными способами. Это эквивалентно предположению о том, что Cut создает два, a CuAg - один уровень в запрещенной зоне. [33]
В отличие от рассмотренного выше примесного полупроводника, представим, что проводимость кристалла частично или полностью обусловлена межзонными переходами. При этих условиях в области Р 10 000 кг см-2 необходимо учитывать, что ширина запрещенной зоны Д §, определяемая энергетической щелью между минимумами ( 111) и § 0, с ростом давления будет возрастать, а концентрация собственных носителей и, следовательно, о % будет падать. [34]
 |
Структура электронных связей в кристалле германия. а - при отсутствии примесей. и и в - при наличии примесей. [35] |
Таким образом, при температуре, близкой к абсолютному нулю, проводимость кристалла германия практически равна нулю. С повышением температуры вследствие колебательных тепловых движений атомов часть валентных электронов получает энергию, достаточную для преодоления силы связи с атомами. [36]
Связь между частицей и решеткой осуществляется без участия электрона или дырки проводимости кристалла полупроводника. [37]
 |
Схема превращения слабо гомеополярной связи в прочную в результате перехода электрона из зоны проводимости ( / или из валентной зоны ( 2. [38] |
Однако при любой отличной от нуля температуре часть электронов переходит в зону проводимости кристалла. [39]
В том и другом случае, если деремещае-мые электроны попадают в зону проводимости кристалла, должна возникнуть проводимость последнего при освещении в ооласш спектра, где расположена полоса поглощения красителя. [40]
Если бы единственным следствием освещения было только образование электронно-дырочных пар, то тогда проводимость освещенного кристалла должна была бы монотонно увеличиваться во времени. Но поскольку с ростом концентрации электронно-дырочных пар увеличивается их рекомбинация, то через некоторое время в полупроводнике установится стационарное, соответствующее данному уровню освещенности, значение фотопроводимости. [41]
Согласно теории люминесценции, радиация вызывает возбуждение электронов и переходу их в зону проводимости кристалла. Возбужденные электроны попадают в ловушки и оказываются там в связанном состоянии, образуя метастабильные уровни, или F-центры. При нагревании электроны освобождаются из ловушек и вызывают наблюдаемую термолюминесценцию кристалла. В подходящем материале может быть детектирована мощность поглощенной дозы излучения порядка нескольких сотен рад / с. [42]
За счет энергии теплового движения электрон возбужденной молекулы переходит с уровня б-б в зону проводимости кристалла. Электроны из зоны проводимости согласно ранее изложенной схеме улавливаются центрами светочувствительности, и далее процесс образования скрытого изображения протекает так же, как и в несенсибилизированной эмульсии. [43]
 |
Энергетическая схема системы КС1 - Ag по Л. М. Шамовскому и Л. М. Родионовой ( 287. [44] |
При малой подвижности f - центров передача электронов пленке может осуществляться путем пересадки электронов через зону проводимости кристалла КС1 в результате их термического высвобождения из F-центров. Оба указанных способа передачи электронов пленке могут действительно осуществляться в процессе аддитивного окрашивания, которое производится при высоких температурах. Однако фотохимическое окрашивание производится обычно при комнатной температуре, при которой подвижность F - центров мала, а энергия тепловых колебаний решетки недостаточна для тепловой диссоциации F-цент-ров. Поэтому процессы обмена электронами между / - - центрами и пленкой активатора не могут играть сколько-нибудь заметной роли, когда окрашивание производится фотохимически при комнатной температуре. [45]
Страницы: 1 2 3 4