Проводимость - кристалл
Cтраница 2
Наличием дефектов в структуре решетки обусловлена проводимость кристаллов. Так, в случае кристалла AgBr переносчик электричества - катион Ag; измеряемое на опыте число переноса аниона Вг - равно нулю. При наличии дефектов по Шоттки ( кристалл NaCl) перенос заряда осуществляется как катионами, так и анионами в процессе движения катионных и анионных вакансий. [16]
Как влияют дефекты кристаллической решетки на проводимость кристалла. [17]
Видно, что появление таких пар увеличивает проводимость кристалла. Эта добавочная проводимость и называется фотопроводимостью, так как она вызвана фотоэлектрическим эффектом. [18]
Это подтверждается экспериментально: проводимость стекол превосходит проводимость кристаллов на несколько порядков величины. [19]
 |
Зависимость удельной проводимости а. [20] |
На первый взгляд может показаться, что проводимость кристалла должна определяться суммой двух членов вида ( 508), так как дефекты обычно встречаются парами. В кристаллах с дефектами Шоттки вакантным катионным узлам решетки соответствует равное количество вакантных анионных узлов решетки. В случае дефектов по Френкелю ионам в междоузлиях отвечает такое же число дырок. В действительности же энергия активации Uо носителей заряда различна, и это различие благодаря экспоненциальной зависимости а от ( / обусловливает доминирующую роль одного какого-либо сорта ионов. Поэтому, согласно ( 508), график зависимости In aT от обратной температуры Т 1 должен представлять собой практически прямую линию. Вообще говоря, член In Т1 не настолько существен, чтобы вызвать отклонения от линейности. График зависимости In а от Т 1 может представлять собой прямую линию даже в том случае, когда проводимость обусловлена более чем одним механизмом. Поэтому на основании линейного характера таких кривых нельзя утверждать, что имеется только один тип носителей заряда. [21]
В дальнейшем оказалось, что ширина зоны проводимости кристалла ( см. Зонная теория) недостаточна для того, чтобы электрон смог приобрести энергию, необходимую для ударной ионизации в диэлектриках, обладающих широкой запрещенной зоной. Кроме того, теория ударной ионизации не дает представления о самом процессе развития Э.п., а лишь определяет критерий пробоя и оценивает величину электрич. [22]
 |
Матрица для восьми s - и р зон структуры алмаза в приближении сильной связи. [23] |
Энергии валентной зоны и самой нижней зоны проводимости кристалла типа алмаза можно найти приведением матрицы размерности 8 х 8 из табл. 2.25 к диагональному виду при условии, что четыре параметра Vss, Vsp VXx и Уху известны. Эти четыре параметра можно отыскать, сравнив расчитанную зонную структуру с эмпирическим расчетом зонной структуры или расчетом из первых принципов. [24]
 |
Схема образования электронной примесной проводимости.| Схема образования дырочной примесной проводимости. [25] |
Введением примеси ( легированием) можно резко увеличить проводимость кристалла. [26]
Зависимости (3.7) и (3.8) устанавливаются по ходу изменения проводимости кристалла и яркости свечения на протяжении 10 - 2 сек. [27]
Действие кондуктометрического сорбционного детектора основано на измерении изменений проводимости кристалла адсорбента при поглощении им различных газов. Трушкиным совместно с авторами и представляет собой камеру, в которой между двумя пружинными контактами размещена гранула адсорбента ( силикагель или алюмогель), омываемая потоком газов. При изменении состава газа за счет сорбции различных молекул изменяется электрическое сопротивление кристалла, которое измеряется схемой, включающей электрометрический усилитель. Напряжение, прикладываемое к кристаллу, составляет 200 - 600 в. Чувствительность такого детектора зависит от природы газа-носитоля. При использовании в качестве газа-носителя водорода она составляет ( 2 - f - 2 5) 104 мв / % объемн. [28]
Иод в данном случае не увеличивает, а умекь-шает проводимость кристалла. Как правило, знак эффекта зависит от того, будет ли поверхность полупроводника по отношению к адсорбированному газу служить донором или акцептором электронов. Если образовавшийся на поверхности комплекс оттягивает электроны, то при электронной проводимости это приводит к увеличению удельного сопротивления. [29]
Чем выше усиливаемая частота, тем выше должна быть проводимость кристалла. [30]
Страницы: 1 2 3 4