Производство - полупроводниковый прибор
Cтраница 1
Производство полупроводниковых приборов, особенно интегральных схем, является в настоящее время одной из наиболее емких сфер применения АСУ ТП в электронной промышленности. Автоматизируются самые различные операции - от выращивания монокристаллических слитков кремния и изготовления фотошаблонов для интегральных схем до выходного контроля их электрических параметров. [1]
Производство полупроводниковых приборов является, таким образом, совокупностью технологических процессов, создающих неравновесные системы. От высоты потенциальных барьеров и других факторов, охватываемых общими рамками химической и диффузионной кинетики, зависит не только качество работы, но и сама возможность существования полупроводникового прибора. [2]
Производство полупроводниковых приборов является, так м обря & ой, совокупностью технологических процессов, создающих неравновесные системы. От высоты потенциальных барьеров и других факторов, охватываемых общими рамками химической и диффузионной кинетики, зависит не только качество работы, но и сама возможность существования полупроводникового прибора. [3]
Производство надежных и долговечных полупроводниковых приборов, даже при правильно выбранной технологии, немыслимо без соблюдения производственной гигиены, под которой понимают комплекс мероприятий, обеспечивающих защиту элементов и деталей приборов от всевозможных загрязнений. Кристаллы с электронно-дырочными переходами, составляющие основу полупроводниковых приборов, особенно чувствительны к попаданию на них влаги, кислот, щелочей и других веществ, которые резко ухудшают параметры приборов. Взаимодействуя с парами воды, эти вещества образуют подвижные заряды-ионы, переносящие ток через переход и нарушающие нормальную работу прибора, особенно после его разогрева. [4]
 |
Схема установки для измерения токов утечки транзисторов. [5] |
Для производства полупроводниковых приборов применяются пластинки германия толщиной от 0 1 до 0 4 мм и диаметром от 0 1 до 15 мм в зависимости от типа прибора. Эти пластинки имеют по всей поверхности нарушенную монокристаллическую структуру. Кроме того, даже после самой тщательной промывки на поверхности всегда остаются микропримеси и оксидные пленки. Для очистки поверхности полупроводниковых пластинок применяют химическое или электрохимическое травление. [6]
Обычно производство полупроводниковых приборов сравнивают с производством часов, характеризуя тем самым малые размеры деталей приборов и их высокую точность. [7]
Все производство полупроводниковых приборов основано на сделанных в лаборатории фундаменталь ных открытиях в области физики твердого тела, так же как в основе электронной лампы лежало открытие Эдисоном электронного потока в вакууме, исходящего от раскаленной нити. [8]
Для производства полупроводниковых приборов широко применяются элементарные полупроводники, которые обладают поликристаллической или монокристаллической структурой, из которых наибольшее применение нашли германий и кремний. Из легированных монокристаллов германия или кремния вырезают пластины, которые являются основой для изготовления приборов и интегральных микросхем. [9]
Для производства полупроводниковых приборов по ГОСТ 16153 - 80 применяются монокристаллы германия. Монокристаллы германия изготовляют электронного типа проводимости, легированные сурьмой, и дырочного типа проводимости, легированные галлием. [10]
 |
Подвижность носителей заряда в монокристаллах германия. [11] |
Для производства полупроводниковых приборов используются монокристаллические слитки кремния. [12]
Для производства разнообразных полупроводниковых приборов необходим германий электронного и дырочного типов проводимости различного удельного сопротивления. [13]
Технология производства полупроводниковых приборов предъявляет жесткие требования к химической и коррозионной стойкости сплавов, так как после вплавления кристаллы с р - га-переходами и омическими контактами подвергаются химической обработке в растворах сильных кислот и щелочей. [14]
В производстве полупроводниковых приборов в качестве нагревателей для напыли -, тельных вакуумных установок используют вольфрамовые спирали. Из вольфрама изготовляют также иглы для точечных диодов и зонды установок для измерения параметров полупроводниковых материалов. Для компенсации механических напряжений, возникающих в полупроводниковом материале при резких изменениях температуры вследствие разности термических коэффициентов линейного расширения кремния и кристаллодержа-теля, с успехом используют напайку пластин кремния на кристаллодержатель через вольфрамовые диски. [15]
Страницы: 1 2 3 4