Производство - полупроводниковый прибор
Cтраница 4
Совершенствование методов производства полупроводниковых приборов позволяет постоянно снижать их себестоимость. Это открывает возможности применения полупроводниковых приборов взамен таких сравнительно дешевых, но малонадежных элементов автоматики, как реле, контакторы, пускатели и прочая коммутационная аппаратура. [46]
Технологический процесс производства полупроводниковых приборов требует различных климатических условий: высокой или низкой температуры, определенной влажности. Эти параметры необходимо контролировать или поддерживать постоянными с заданной степенью точности. В зависимости от конкретной технологической операции бывает необходимо измерять температуру твердого тела, воздуха или другой газовой среды, в том числе и агрессивной. [47]
Совершенствование технологии производства полупроводниковых приборов привело к улучшению их электрических и эксплуатационных параметров и значительно расширило массовое применение. Это в свою очередь обусловило новые требования к параметрам приборов, которые сводятся к получению у одного прибора совокупности параметров, характерных только для различных типов приборов. [48]
Когда при производстве полупроводниковых приборов применяют точечную электросварку и импульсную сварку. [49]
Никелируют при производстве полупроводниковых приборов баллоны и кристаллодержатели, подлежащие холодной сварке, а та Кже пластины полупроводникового материала. [50]
 |
Схема включения полупроводникового. [51] |
В настоящее время производство полупроводниковых приборов обходится еще довольно дорого. [52]
Арсенид индия для производства полупроводниковых приборов и оптических целей ( ТУ 48 - 4 - 420 - 80) выпускается в виде поликристаллических слитков, выращенных по методу Брид-жмена ( марка ИМЭП-0) и по методу Чохральского ( марка ИМЭП-1), и в виде монокристаллических слитков, нелегированных и легированных теллуром, оловом, цинком и марганцем, выращенных по методу Чохральского. [53]
Арсенид индия для производства полупроводниковых приборов и оптических целей ( ТУ 48 - 4 - 420 - 80) выпускается в виде поликристаллических слитков, выращенных по методу Брид-жмепа ( марка ИМЭП-0) и по методу Чохральского ( марка ИМЭП-1), и а виде монокристаллических слитков, нелегированных и легированных теллуром, оловом, цинком и марганцем, выращенных по методу Чохральского. [54]
Непрерывное совершенствование технологии производства полупроводниковых приборов позволяет предполагать, что в ближайшие годы дрейф нуля модуляторов будет снижен еще во много раз. [55]
Страницы: 1 2 3 4