Производство - полупроводниковый прибор
Cтраница 2
При производстве полупроводниковых приборов перед технологом встает задача определить требуемый профиль распределения легирующих примесей и найти технологические условия, обеспечивающие реализацию этого профиля в конкретном типе прибора. При диффузионном легировании профиль распределения примеси и поверхностная концентрация практически полностью определяются температурой процесса. В процессе ионного легирования возможно независимое изменение этих параметров: концентрация внедренных атомов зависит от дозы облучения, а профиль их распределения определяется энергией ионов в пучке. [16]
При производстве полупроводниковых приборов контролируется и гарантируется лишь часть этих параметров, которая определяет качество прибора и в основном характеризует прибор. Так, полупроводниковые диоды характеризуются тремя-четырьмя параметрами, транзисторы - восемью - десятью. [17]
При производстве полупроводниковых приборов преимущественно пользуются устройствами, объединяющими группы измерительных приборов, приспособлений, функционально связанных между собой измерительной схемой. Такое устройство принято называть измерительной установкой. [18]
В производстве полупроводниковых приборов обычно применяют следующие методы присоединения выводов: термокомпрессию, сварку давлением с косвенным импульсным нагревом, ультразвуковую сварку, контактную точечную сварку. [19]
При производстве полупроводниковых приборов широко используют эпитаксиальное наращивание - наращивание монокристаллических слоев полупроводника на поверхности монокристаллической подложки того же полупроводника, а иногда и другого по химическому составу полупроводника. [20]
В производстве полупроводниковых приборов внедрение систем организационно-технологического управления позволяет получить существенный экономический эффект как за счет автоматизированного статистического управления последовательными операциями на технологических линиях, так и за счет сокращения простоев оборудования, задержек в движении материальных потоков вдоль технологических линий и резкого уменьшения ошибок оперативного персонала. Такие крупные американские фирмы, как IBM, TI, Motorola вкладывают крупные ресурсы в комплексную автоматизацию полупроводниковых производств на основе ЭВМ. В частности, IBM и Motorola применяют ЭВМ как для прямого цифрового управления процессами ( выращивание кристаллов, осаждение пленок в вакууме), так и для оперативного контроля и управления производством в целом. Интенсивные работы по созданию систем комплексного управления проводятся и Б отечественной полупроводниковой промышленности. [21]
В производстве полупроводниковых приборов применяют несколько типов установок для вакуумного напыления, различных материалов на полупроводниковые пластины и последующего выявления напыленного слоя, принцип действия которых одинаков. [22]
 |
Зависимость сварочного тока сварочной машины. а - от времени разрядки, б - от емкости батарей, а - от напряжения зарядки. [23] |
В производстве полупроводниковых приборов при герметизации корпусов сваривают следующие пары металлов: никель - ковар, сталь - ковар, медь - никель, ковар - ковар, толщины которых лежат в пределах от 0 15 до 3 мм. [24]
При производстве полупроводниковых приборов применяют метод эпитаксии кремния. Эта эпитаксия производится путем восстановления тетрахлорида кремния или методом эпитаксии в. [25]
В производстве полупроводниковых приборов кроме германия и кремния широко используются соединения А [ п Bv. Эти соединения получают в результате взаимодействия элементов третьей и пятой групп периодической системы. Они кристаллизуются в решетке типа сфалерита или цинковой обманки. [26]
В производстве полупроводниковых приборов и интегральных микросхем широко применяется процесс эпитаксии. Эпитаксия - это процесс выращивания слоев с упорядоченной кристаллической структурой путем реализации ориентирующего действия подложек. С помощью эпитаксии изготовляют сложные полупроводниковые структуры с заданными электрофизическими характеристиками ( удельное сопротивление, время жизни, тип электропроводности) и геометрией. Полупроводниковые приборы, изготовленные с использованием эпитаксии, обладают лучшими частотными свойствами, меньшим сопротивлением базы и большим усилением по сравнению с приборами, изготовляемыми другими методами. [27]
В производстве полупроводниковых приборов требуется кремний исключительной чистоты, содержащий на 1 млрд. атомов Si не более 1 - 2 атомов примесей. [28]
В производстве полупроводниковых приборов для изоляции электронно-дырочных переходов от окружающей атмосферы поверхность покрывают защитным слоем влагостойкого лака или компаунда. Однако и эти покрытия тте являются вполне герметичными для кислорода, и под слоем лака продолжается окисление поверхности германия. Лаки из-за своей полярности и наличия ненасыщенных химических связей могут изменять свойства поверхности полупроводника. [29]
 |
Схема технологического процесса формирования. [30] |
Страницы: 1 2 3 4