Cтраница 3
При производстве полупроводниковых приборов широко используют эпитаксиальное наращивание - наращивание монокристаллических слоев полупроводника на поверхности монокристаллической подложки того же полупроводника, а иногда и другого по химическому составу полупроводника. [31]
При производстве полупроводниковых приборов процессы фотолитографии повторяются, как правило, несколько раз на различных этапах изготовления приборов. Причем появляется необходимость точно совмещать различные рисунки шаблонов относительно картины, полученной при первой фотолитографической обработке. Если учесть, что линейная величина эмиттера у ряда приборов составляет 7 - 15 мк, а расстояние от эмиттера до базы - 7 - 10 мк, становятся понятными требования к высокой разрешающей способности метода и точности совмещения фотошаблонов. [32]
При производстве полупроводниковых приборов мышьяк применяют для тех же целей, что и сурьму. [33]
В производстве полупроводниковых приборов медь используют для изготовления деталей прибора, прежде всего выводов и кристаллодержателей и деталей технологического оборудования. [34]
В производстве полупроводниковых приборов вольфрамовые спирали используют в качестве нагревателей для напылительных вакуумных установок. Из вольфрама изготовляют иглы для точечных диодов и зонды установок для измерения физических параметров полупроводниковых материалов. [35]
В производстве полупроводниковых приборов все более широкое применение находят керамические материалы. Эти материалы обладают рядом преимуществ по сравнению с лучшими сортами стекла: очень низкими диэлектрическими потерями при высоких частотах, более высокой электрической и механической прочностью и теплостойкостью. Керамические детали поддаются механической обработке и не изменяют форму и геометрические размеры после соединения их с металлами, благодаря чему удается получить большую точность при изготовлении узлов и деталей приборов. [36]
При производстве полупроводниковых приборов керамику1 применяют для изготовления корпусов сверхвысокочастотных диодов и транзисторов, корпусов высокотемпературных приборов, для получения плат малогабаритных приборов; из керамики изготавливают детали различных технологических приспособлений; применяют ее также и в разнообразном технологическом. [37]
В производстве полупроводниковых приборов широко применяют полиэтиленовые трубы, которые используют как соединительные шланги в установках очистки различных газов, а также в качестве трубопроводов для подачи и разлива особо чистой воды. Кроме того, из полиэтилена изготовляют посуду для хранения и транспортировки жидких неорганических химикалий. [38]
При производстве полупроводниковых приборов загрязнение подложек на микронном и субмикронном уровнях приводит к отбраковке половины продукции. Качественную очистку кремниевых и стеклянных подложек можно эффективно осуществить с помощью ЛПМ с УФ-излучением. УФ-излучение также может успешно применяться в высокопроизводительных фотолитографических операциях по изготовлению или моделированию деталей. [39]
В производстве полупроводниковых приборов кремний используют главным образом в виде монокристаллов, которые выращивают из поликристаллического кремния полупроводниковой чистоты. Число производителей поликристаллического кремния в капиталистическом мире невелико, степень монополизации производства высокая. [40]
При производстве полупроводниковых приборов испытания занимают одно из ведущих мест. [41]
При производстве полупроводниковых приборов золотят кри-сталлодержатели и баллоны при холодной сварке или бесфлюсовой пайке, а также выводы и пластинки полупроводника. Для золочения обычно применяют цианистые электролиты. Главным компонентом электролитов для золочения служит комплексная цианистая соль золота. [42]
Помещения для производства полупроводниковых приборов разделяют на три категории. [43]
Технологический процесс производства полупроводниковых приборов требует различных климатических условий: высокой или низкой температуры, определенной влажности и давления. Эти параметры необходимо контролировать или поддерживать постоянными с заданной степенью точности. В зависимости от конкретной технологической операции бывает необходимо измерять температуру твердого тела, воздуха или другой газовой среды, в том числе и агрессивной. [44]
Технологический процесс производства полупроводниковых приборов должен обеспечивать получение заданных свойств приборов разных типов. В связи с этим к нему предъявляется ряд серьезных требований. [45]