Прохождение - носитель
Cтраница 1
Прохождение носителей через цепь коллектора вызывает отбор от источника питания значительно большего количества энергии, чем было затрачено на введение носителей в базу. За счет этого достигается значительное усиление напряжения и мощности. [1]
При прохождении носителя через зону поля рассеяния головки с ультразвуковым смещающим полем процесс намагничения схож с безгистерезисным, так как при сбегании элемента носителя с головки амплитуда переменного поля постепенно уменьшается. Однако между процессом идеального безгистерезисного намагничения и намагничения магнитного носителя, проходящего мимо головки, имеется различие, состоящее в том, что вместо постоянного поля здесь действует поле сигнала, также убывающее при выходе носителя из зоны за-лиси. Характеристики такого процесса записи, носящего название квазибезгистерезисного процесса намагничения, схожи с характеристиками идеального безгистерезисного процесса лишь до некоторого максимального значения Н, выше которого дВост / дН начинает спадать. [2]
 |
Концентрация присадок в высокочастотном транзисторе. [3] |
Так как для прохождения носителей зарядов слева на входе требуется только малое напряжение порядка 0 3 в, а на выходе справа может быть приложено значительно большее напряжение, то с помощью такого устройства получают значительное усиление по напряжению, а следовательно, и по мощности. [4]
В первом случае прохождение носителей шка через запорный слой сопровождается многочисленными соударениями и носит диффузионный характер. [5]
Она определяется скоростью прохождения носителей заряда через фазовую границу в обоих направлениях. [6]
В зависимости от механизма прохождения носителей заряда в области базы ( от эмиттера к коллектору) транзисторы разделяют на б е з - дрейфовые и дрейфовые. В бездрейфовых транзисторах перенос неосновных носителей заряда через базовую область осуществляется в основном посредством диффузии. Такие транзисторы обычно получают методом сплавления. [7]
Межкристаллитные потенциальные барьеры являются препятствием для прохождения носителей заряда в поликристаллических слоях и в ряде случаев значительно снижают подвижность носителей по сравнению с монокристаллическими материалами. В пленках, толщина которых сравнима с размером зерен, межзеренные потенциальные барьеры оказывают более существенное влияние на проводимость в плоскости, параллельной пленке, чем поперек нее. [8]
 |
К пояснению принци - [ IMAGE ] Энергетическая диа. [9] |
Несмотря на определенные различия в механизме прохождения носителей заряда через базу, и в бездрейфовых, и в дрейфовых транзисторах дырки, попав в базу, для которой они являются неосновными носителями заряда, начинают рекомбинировать с электронами. Но рекомбинация - процесс не мгновенный. Поэтому ночти все дырки успевают пройти через тонкий слой базы и достигнуть коллекторного р-п перехода прежде, чем произойдет рекомбинация. Подойдя к коллектору, дырки начинают испытывать действие электрического поля коллекторного перехода. [10]
ЛФД определяется не процессами умножения, а прохождением носителей через область относительно слабого поля к контакту. [11]
За счет дрейфа получается заметный выигрыш во времени прохождения носителей через базу в дополнение к тому выигрышу, который обусловлен малой толщиной базы. [12]
Тем не менее за счет дрейфа можно получить заметный выигрыш во времени прохождения носителей через базу в дополнение к тому выигрышу, который обусловлен малой толщиной базы. [13]
Физически это можно объяснить тем, что с ростом рабочей частоты время прохождения носителей тока через область базы транзистора становится соизмеримым с периодом частоты и ток в цепи обратной связи создает управляющее напряжение в цепи эмиттера, все более отстающее по фазе от оптимального. Наконец, при некотором угле запаздывания крутизна характеристики становится практически равной нулю. [14]
В теории толстого перехода, называемой также диффузионной теорией, d L, прохождение носителей заряда определяется взаимодействием их с кристаллической решеткой. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5