Прохождение - носитель - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 5
Никому не поставить нас на колени! Мы лежали, и будем лежать! Законы Мерфи (еще...)

Прохождение - носитель

Cтраница 5


Ток, проходя по обмотке записывающей головки, создает напряженность магнитного поля, амплитуда которого пропорциональна записываемой величине. При записи носитель равномерно движется в поле записывающей головки. Поэтому отдельные участки носителя намагничиваются различно в зависимости от мгновенного значения напряженности поля, которую создавала головка в момент прохождения носителя.  [61]

Ток, проходя по обмотке записывающей головки, создает напряженность магнитного поля, амплитуда которого пропорциональна записываемой величине. При записи магнитный носитель равномерно движется в поле записывающей головки. Поэтому отдельные участки носителя намагничиваются различно в зависимости от мгновенного значения напряженности поля, которую создавала головка в момент прохождения носителя.  [62]

63 Эквивалентная схема транзистора. [63]

Однако в области высоких частот, когда начинает проявляться зависимость свойств транзистора от емкости эмиттерного и коллекторного р-п-пе-реходов, а также от времени пролета носителей зарядов от эмиттерного до коллекторного р-а-переходов, параметры транзистора становятся комплексными величинами. В этих условиях пользоваться уравнениями (2.9) и (2.10) неудобно. Более удобным оказывается представить усилительный элемент расчетной, эквивалентной электрической схемой, показанной на рис. 2.14. Она получила название Т - образной физической схемы. Величина гд, имеющая размерность сопротивления, отображает условия прохождения носителей зарядов через эмиттерный р-п-переход, гб - условия прохождения свободных носителей зарядов в базе, гк - условия прохождения носителей зарядов через коллекторный р-я-переход, Сд и С - зарядные емкости эмиттерного и коллекторного р - / г-переходов соответственно Усилительные свойства транзистора представлены генератором тока cua - В эквивалентной схеме рис. 2.14 коэффициент передачи тока а а ( 0 зависит от времени. При использовании символического метода считаем коэффициент а 1а ( /) 1 зависящим от частоты.  [64]

Электростатические графопостроители принадлежат к типу устройств с растровым сканированием ( см. разд. Основной принцип их функционирования - это нанесение частиц краски на участки бумаги, обладающие определенным электрическим зарядом. На рис. 1 - 44 представлена обобщенная схема устройств данного типа. Специальное покрытие носителя изображения, удерживающее электростатический заряд, помещается около записывающей головки, которая содержит от 1 до 3 рядов пишущих узлов или перьев. Обычно на одном дюйме располагается от 72 до 400 таких перьев. Чем больше рядов пишущих узлов, тем выше плотность печати. При прохождении носителя под рядами перьев каждое из них наносит отрицательно заряженную точку. Далее носитель проходит через тоновый аппликатор, где положительно заряженные частицы краски притягиваются к точкам изображения, имеющим отрицательный заряд, в результате на носителе проступает видимое изображение. Затем частицы графитовой краски просушиваются и фиксируются на носителе. В качестве материала носителя изображения для графопостроителя может быть использована непрозрачная или полупрозрачная пергаментная бумага и прозрачная или матовая полиэфирная пленка.  [65]

66 Схематическое изображение прослойки ( / жирной кислоты ( монослой между алюминиевым электродом и кристаллом ( 2. Гидрофобные концы молекул жирной кислоты находятся в контакте с органическим кристаллом, и вандерваальсовы силы обеспечивают параллельность между молекулами ( Бесс-лер, Киллесрайтер, частное сообщение. [66]

Типичная экспериментальная установка схематически представлена на рис. 2.5.40. На одну поверхность кристалла напылен слой алюминия, а от второй поверхности слой алюминия отделен прослойкой жирной кислоты. Вначале рассмотрим кристалл п-хлоранила толщиной порядка 30 мкм с алюминиевыми контактами и последовательностью прослоек из жирной кислоты, содержащей в цепи от 14 до 20 атомов углерода. Толщина прослойки получается по формуле dn 1 35и А, где п - число атомов углерода в цепи. На рис. 2.5.41 показан пример спектра возбуждения фототока и приводится схема расположения электродов. В основном фототек насыщения коррелирует со спектром поглощения кристалла, что указывает на то, что на контакте происходит диссоциация экситонов, которая достигает максимальных значений, если освещенный электрод находится при отрицательном потенциале, т.е. когда носителем заряда является электрон. Прохождение носителя через слой жирной кислоты, конечно, требует определенной затраты времени. Однако не это является решающим фактором, определяющим скорость реакции, на что указывает зависимость тока от обработки освещенной поверхности.  [67]



Страницы:      1    2    3    4    5