Прохождение - носитель
Cтраница 3
Второй причиной ухудшения работы транзистора на высоких частотах является отставание по фазе переменного тока коллектора от переменного тока эмиттера. Это обусловлено инерционностью процесса прохождения носителей заряда через базу от эмит-терного перехода к коллекторному, а также инерционностью процессов накопления и рассасывания зарядов в базе. [31]
 |
К пояснению принци - [ IMAGE ] Энергетическая диа. [32] |
Инжектированные через эмиттерный переход дырки проникают вглубь базы. В зависимости от механизма прохождения носителей заряда в области базы отличают бездрейфовые и дрейфовые транзисторы. В бездрейфовых транзисторах перенос неосновных носите лей заряда через базовую область осуществляется в основном за счет диффузии. Такие транзисторы обычно получают описанным выше методом сплавления. В дрейфовых транзисторах в области базы путем соответствующего распределения примесей создается внутреннее электрическое поле и перенос неосновных носителей заряда через базу осуществляется в основном за счет дрейфа. Такие транзисторы, как уже отмечалось, обычно получают методом диффузии примесей. [33]
Туннельный диод отличается от других диодов с р-п-перехо-дами высокой концентрацией примесей, благодаря чему запирающий слой у него становится очень тонким. Это приводит к появлению туннельного эффекта прохождения носителей тока через р-п-переход. [34]
 |
Транзистор типа PNP. [35] |
Подобным же образом, когда носители W-типа диффундируют в Р - область, она получает отрицательный заряд, а N-областъ становится заряженной положительно. Создается контактная разность потенциалов, которая препятствует прохождению носителей через переход. Когда на переходе отсутствует напряжение смещения, через переход не течет ток, и тепловое генерирование дырок и электронов в N - и Р - областях, соответственно, находится в равновесии со скоростью рекомбинации этих носителей. [36]
 |
Уровень Ферми в полупроводниках. а - до контакта о полупроводнике n - типа. б - до контакта в полупроводнике р-тшта. в - после контакта. [37] |
После образования р-л-перехода и возникновения некоторол контактной разности потенциалов UK устанавливается тепловое равновесие, при котором результирующий ток через р-п переход становится равным нулю. Это означает что в условиях теплового равновесия вероятность прохождения носителей заряда через р-п переход в обоих направлениях становится одинаковой. Ферми р-области WFp и n - области WFn должны расположиться в одну линию. При этом энергетическая диаграмма р-п перехода имеет вид, показанный на рис. 3.4, в. Концентрация электронов в зоне проводимости л-области оказывается выше, так как минимальная энергия, которой должны обладать электроны в этой зоне, ниже, чем в зоне проводимости р-области. Чтобы перейти в зону проводимости полупроводника р-типа, электрону полупроводника я-типа необходимо совершить работу есрк. Такую же работу должны выполнить дырки для перехода из валентной зоны полупроводника р-типа в валентную зону полупроводника п-типа. [38]
Новый способ уменьшения Ск был найден во введении слоя почти беспримесного Ge между областями базы и коллектора. Казалось бы введение относительно толстого i-слоя должно сильно увеличить время прохождения носителей тока через базовую область и, значит, понизить граничную частоту. Однако в i-слое существует сильное электрическое поле, ускоряющее носители тока, так что время их прохождения увеличивается на самом деле незначительно. [39]
 |
Зависимость модуля коэффициента передачи ji от частоты. [40] |
Это связано с инерционностью процессов, происходящих в транзисторе при прохождении носителей заряда через базовый слой, и изменением концентрации носителей в базе при диффузии неосновных носителей к коллек-стору. [41]
 |
Принцип, схема [ IMAGE ] Принцип, схема. [42] |
Лавинное умножение носителей в р - - переходе имеет место при уд. В р - тг-пе-реходах, изготовленных на основе ПП с Q 0 05 ом - см и имеющих ширину области пространств, заряда: 10-в см, лавинное умножение отсутствует и пробой объясняется туннельным механизмом прохождения носителей заряда через барьер. Такое различие в механизме пробоя объясняется тем, что в широких переходах носители заряда успевают приобрести энергию, достаточную для ионизации, а в узких - не успевают. [43]
 |
Принцип, схема [ IMAGE ] Принцип, схема. [44] |
Лавинное умножение носителей в р-га-переходе имеет место при уд. В р - - переходах, изготовленных на основе ПП с g 0 05 ом - см и имеющих ширину области пространств, заряда o lO - s см, лавинное умножение отсутствует и пробой объясняется туннельным механизмом прохождения носителей заряда через барьер. Такое различие в механизме пробоя объясняется тем, что в широких переходах носители заряда успевают приобрести энергию, достаточную для ионизации, а в узких - не успевают. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5