Прохождение - носитель
Cтраница 2
 |
Плотности электронного и дырочного токов при лавин ном размножении в несимметричном и - р-переходе. [16] |
Чтобы выразить скорость нетепловой генерации через коэффициенты ударной ионизации, рассмотрим единичный объем, имеющий длину в направлении прохождения носителей заряда и площадь поперечного сечения, равные единице. [17]
 |
Типичная форма монокристалла германия, полученного вытягиванием из расплава. [18] |
С целью уменьшения скорости рекомбинации носителей в базе ( что приводит к увеличению коэффициента усиления по току), а также уменьшения времени прохождения носителей через базу ( что позволит расширить границы частот) область базы транзистора должна быть сделана возможно более тонкой и по возможности свободной от центров рекомбинации. [19]
 |
Частотные зависимости мощности и КПД генераторов на ЛПД и диодах Ганна. [20] |
В отличие от ЛПД в диодах Ганна механизм генерации обусловлен эффектами междолинного переноса электронов во всем объеме полупроводника; он не связан с прохождением носителей через полупроводниковые переходы и развитием лавинных процессов. [21]
Инерционность фртодиодов обусловлена рядом факторов, среди которых важную роль играют время заряда емкости перехода, а также время tD диффузии носителей к переходу и время др прохождения носителей через область объемного заряда в переходе. Если период Ты модулирующих световой поток колебаний сравним с суммарным временем tnv гдиф tD движения носителей, то процессы изменения тока в приборе как бы не успевают за быстрыми изменениями интенсивности светового потока. В результате с ростом частоты амплитуда переменной составляющей тока в нагрузке фотодиода уменьшается и увеличивается фазовый сдвиг между модулирующим световой поток колебанием и переменной составляющей тока в приборе. [22]
Подвижность электронов в образце 1 близка к подвижности в монокристалле InP, однако в 2, и в особенности в 3 ( с наименьшей концентрацией электронов) перенос заряда определяется механизмами туннельного и термоактивационного прохождения носителей заряда через потенциальные барьеры на границах зерен. [24]
 |
Накопление неосновных носителей заряда ( дырок вблизи омического перехода между металлом и полупроводником при наличии внешнего электрического поля. [25] |
При наличии обедненного или инверсного слоя переход Шотки обладает выпрямляющими свойствами, так как внешнее напряжение, падая в основном на высокоомном переходе, будет изменять высоту его потенциального барьера, изменяя условия прохождения носителей заряда через переход. [26]
Если выражения ( II) и ( 2) использовать для случая максимального значения коэффициента усиления триода с широкой областью базы ( рис. 2), то, предполагая, что ав ас1, можно вычислить эффективное время существования носителей, которое оказывается равным ти 17 мксек, и время прохождения носителей через область 2 - около 40 мксек. Указанное значение времени существования находится на нижнем пределе и соответствует германию с удельным сопротивлением 5 ом см, обработанному методом диффузии. [27]
В электронных лампах барьер образуется на границе катод-вакуум и определяется работой выхода электронов. Акты прохождения носителей через потенциальный барьер представляют последовательность независимых случайных событий, а за одинаковый промежуток времени число носителей, преодолевших барьер, оказывается различным. Появляются флуктуации тока, обусловленные случайным распределением скоростей частиц и их энергий, моментов начала их движения. [28]
Уменьшение коэффициента усиления по току должно возникать при высоких частотах в связи с особенностями диффузионного распространения носителей тока в базовой области. Время прохождения носителей тока через базовую область различно для разных носителей, участвующих в диффузионном потоке. В этом случае разброс времен прохождения практически не имеет значения. [29]
 |
Векторные диаграммы токов транзистора на разных частотах. [30] |
Страницы: 1 2 3 4 5