Прохождение - прямой ток
Cтраница 1
Прохождение прямого тока через стабилитрон допускается только при переходных процессах. [1]
При прохождении прямого тока через переход основные носители заряда инжектируют в соседние слои и частично рекомбинируют в приграничных областях. В результате каждого акта рекомбинации электрона с дыркой выделяется квант электромагнитной энергии ( фотон) с определенной длиной волны. [2]
При прохождении прямого тока металл осаждается на поверхности деталей, а при прохождении обратного ( на детали подается плюс) детали становятся анодом, и осажденный металл частично растворяется, особенно на микровыступах, так как плотность тока на остриях больше, чем на ровной поверхности Это обусловливает образование равномерных и качественных осадков. Хорошие результаты получают при осаждении металлов методом реверсирования из цианистых и некоторых кислых электролитов. При реверсировании скорость осаждения возрастает примерно в три раза, значительно снижается расход материалов. [3]
При прохождении прямого тока в область р монокристалла инжектируются электроны - неосновные носители зарядов в этой области, и, соответственно, в область п инжектируются неосновные носители зарядов - дырки. [4]
При прохождении прямого тока дырки попадают s электронную область, а электроны - в дырочную и движутся в этих областях путем диффузии. [5]
При прохождении прямого тока большой силы через газ будем считать, что ток создает плазменный столб, давление в котором определяется электронами плазмы. Этот столб имеет форму цилиндра. [6]
Часть этих зарядов после прохождения прямого тока создает обратный ток переходного режима. Тот тиристор, обратный ток которого уменьшается быстрее, чем в других, воспринимает большую долю обратного напряжения и при избыточном напряжении в нем может развиваться обратимый или необратимый пробой. [7]
 |
Процессы установления обратного тока. [8] |
Накопление неравновесных носителей при прохождении прямого тока и конечное время их рассасывания после выключения прямого Тока сказываются на импульсных свойствах диодов в схемах переключения. [9]
 |
Характеристики процессов установления обратного тока ( а и падения прямого напряжения ( б у диода, обусловленные эффектом накопления неосновных носителей заряда в объеме полупроводника. [10] |
Накопление неравновесных носителей заряда при прохождении прямого тока и конечное время их рассасывания после выключения прямого тока сказываются на импульсных свойствах диодов в схемах переключения. [11]
При дальнейшем повышении напряжения выше U2 прохождение прямого тока такое же, как у обычного диода, и определяется диффузией. [12]
Выкл называется промежуток времени от момента прохождения прямого тока через нулевое значение до момента, когда можно повторно приложить прямое напряжение U пер без опасности отпирания тиристора. Время выключения тиристоров 20 - 25 мксек. Время выключения больше времени включения, поэтому оно определяет выбор частоты коммутации тиристоров в различных схемах статических преобразователей. [13]
 |
Схема замещения четырехслойной транзисторной структуры.| Основные диодные включения интегрального транзистора.| Схематическое изображение диффузионного резистора ( а и его схема замещения ( б. [14] |
Общий заряд, накапливаемый диодом при прохождении прямого тока, увеличивается. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5