Прохождение - прямой ток
Cтраница 3
Происхождение диффузионной емкости связано с изменением полного заряда инжектированных р-п-переходом неосновных носителей заряда при прохождении прямого тока. [32]
 |
Классификация оптоэлектронных полупроводниковых приборов. [33] |
Излучение полупроводниковых приборов отображения информации и инфракрасных излучающих диодов вызвано самопроизвольной рекомбинацией носителей заряда при прохождении прямого тока через выпрямляющий электрический переход. Рекомбинация носителей заряда может происходить как в самом выпрямляющем электрическом переходе, так и в прилегающих к этому переходу областях структуры. [34]
Мощность потерь в цепи управления определяют по методике, разработанной для расчета мощности потерь, обусловленной прохождением прямого тока. [35]
 |
Вольт-амперные характеристики кремниевого диода Д211 при различных температурах окружающей среды. [36] |
При этих перенапряжениям через диод в обратном направлении проходят большие импульсные токи, имеющие мгновенные мощности, соизмеримые с мощностями при прохождении прямого тока. Отрицательной особенностью кремниевых диодов является сравнительно большое падение напряжения в прямом направлении. [37]
 |
Схемы ния. [38] |
Схема рис. 85, б предпочтительнее схемы рис, 85, в, так как в последней используется не менее двух вентилей, что удваивает потери при прохождении прямого тока. Применение схемы рис. 85, в наиболее целесообразно при больших токах и малых напряжениях. [39]
Напряжение U9 батареи, включенной между базой и эмиттером, снижает потенциальный барьер в р - я-переходе от эмиттерной области к области базы, так как эта батареяv включена в прямом ( способствующем прохождению прямого тока) направлении. Напряжение же UK батареи, включенной между базой и коллектором, увеличивает потенциальный барьер в п - р-переходе от области базы к области коллектора, так как эта батарея включена в обратном ( запирающем) направлении. Ввиду весьма малой толщины слоя п германия ( порядка сотых миллиметров) почти все дырки, прошедшие в этот слой из области эмиттера, продрейфуют через всю толщину слоя до следующего п - р-перехода и свободно пройдут через этот переход в область коллектора, так как электрическое поле в этом переходе не препятствует, а, наоборот, способствует движению дырок слева направо. Этому движению дырок способствует и напряжение батареи, включенной между базой и коллектором. [40]
Напряжение И3 батареи, включенной между базой и эмиттером, снижает потенциальный барьер в р - - переходе от эмиттерной области к области базы, так как эта батарея включена в прямом ( способствующем прохождению прямого тока) направлении. Напряжение же UK батареи, включенной между базой и коллектором, увеличивает потенциальный барьер в п - р-переходе от области базы к области коллектора, так как эта батарея включена в обратном ( запирающем) направлении. Ввиду весьма малой толщины слоя п германия ( порядка сотых миллиметров) почти все дырки, прошедшие в этот слой из области эмиттера, продрейфуют через всю толщину слоя до следующего п - р-перехода. Этому движению дырок способствует и напряжение батареи, включенной между базой и коллектором. [41]
Напряжение U9 батареи, включенной между базой и эмиттером, снижает потенциальный барьер в р - n - переходе от эмиттерной области к области базы, так как эта батарея включена в прямом ( способствующем прохождению прямого тока) направлении. Напряжение же UK батареи, включенной между базой и коллектором, увеличивает потенциальный барьер в п-р-переходе от области базы к области коллектора, так как эта батарея включена в обратном ( запирающем) направлении. [42]
 |
Схема ( ч и временная диаграмма ( б формирования импульсного сигнала BI интегральных счетных триггерах. [43] |
В интегральных триггерах динамический инверсный вход осуществляется на основе использования времени рекомбинации избыточных зарядов в электронно-дырочном переходе ( диоде VD, рис. 11.10, а), т.е. времени восстановления свойства не проводить обратный ток после прохождения прямого тока. При е О ( 1 на входе схемы) ток i1 начинает проходить через диод VD. Прямой ток диода i il накапливает избыточный заряд в его базе. В момент времени f0 снижения ЭДС до нуля ток it вновь переключается в источник сигнала, а ток i и напряжение и на выходе схемы становятся отрицательными. Отрицательный ( обратный для диода VD) ток обусловливается процессом рекомбинации избыточных зарядов в электронно-дырочном переходе. Таким образом формируется отрицательный импульс напряжения - ии, появляющийся при снижении входного напряжения. Под воздействием этого импульса и происходит изменение состояния RS-триггера. [44]
Пользуясь вольт-амперной характеристикой диода Д101, изображенной на рис. 7.2 а, определить при Г20 и 70 С: а) дифференциальные и сопротивления постоянному прямому току 500 мкА, 1 и 1 5 мА и постоянному обратному току при напряжении 50 В; в) мощности, рассеиваемые диодом при прохождении прямого тока 0 5 мА, и обратного тока при напряжении - 50 В. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5