Cтраница 2
![]() |
Устройство точечных диодов. [16] |
Накопление неосновных носителей зарядов вблизи р-л-перехода во время прохождения прямого тока ухудшает динамические свойства диода, особенно при работе в импульсных схемах. [17]
В тиратроне с помощью сетки можно регулировать начало прохождения прямого тока, смещая это начало на любую часть периода по отношению к нулевому значению переменного напряжения и тем самым плавно изменяя среднее значение выпрямленного тока. [18]
Величина сопротивления открытого вентиля определяет потери в вентиле при прохождении прямого тока / пр. Увеличение этого сопротивления ведет к увеличению потерь. Наличие обратного тока / обр ухудшает качество вентиля как выпрямительного элемента. При увеличении обратного напряжения до некоторого предельного значения обратный ток резко возрастает; дальнейшее увеличение напряжения приводит к пробою вентиля и резкому уменьшению его сопротивления. Допустимым предельным значением обратного напряжения является такое максимальное рабочее напряжение Uo6e тю, при котором пробой вентиля еще не наступает. [19]
При этом неравновесные заряды, накопленные в базах при прохождении прямого тока, постепенно рассасываются вследствие рекомбинации носителей заряда и спустя некоторое время, называемое временем выключения, восстанавливается закрытое состояние тиристора. [20]
Задача 3.26. Выяснить устойчивость плазменного шнура, возникающего при прохождении прямого тока через плазму и находящегося во внешнем магнитном поле, относительно перетяжки. Перетяжка отвечает изменению радиуса шнура на некоторой высоте, но аксиальная симметрия при этом сохраняется. [21]
Можно заметить, что внутреннее сопротивление триода лри ( прохождении прямого тока i ( от эмиттера к коллектору) в несколько раз меньше, чем в обратном направлении Г, хотя оба эти сопротивления невелики. [22]
![]() |
Распад оегаточной плазмы после прямого. [23] |
Заряды, накопляющиеся в межэлектродном промежутке ртутного вентиля в период прохождения прямого тока ( рис. 7.36, а), исчезают, как и во всех классах ионных приборов, не сразу ( см. § 1.3), а в течение некоторого промежутка времени, называемого этапом деионизации. [24]
Диффузионная емкость, обусловленная накоплением зарядов в базовой области при прохождении прямого тока, оказывает основное влияние на частотные свойства вентилей. [25]
![]() |
Возрастание реального напряжения на рш-диоде при возрастании прямого тока по сравнению с зависимостью. [26] |
В момент fj, который соответствует очень малому времени от начала прохождения прямого тока, носители скапливаются у границ / - области, но не в ее центральной части. [27]
Необходимое время для восстановления запертйго состояния тиристора / 9 исчисляется обычно от момента прохождения прямого тока 4 через нуль до момента возможного перехода к положительным значениям анодного напряжения без преждевременного открытия тиристора. [28]
![]() |
Устройство диода Шоттки. - - - - - - - - / L. [29] |
Мощные диоды Шоттки, предназначенные для работы в выпрямителях переменного тока, могут обеспечить прохождение прямого тока до нескольких десятков ампер при прямом падении напряжения на диоде 0 5 - 1 В. Допустимое обратное напряжение в таких диодах достигает 200 - 500 В. [30]