Cтраница 5
Длительность выброса обратного тока определяется временем восстановления равновесной концентрации неосновных носителей зарядов. Описанный эффект накопления неосновных носителей зарядов вблизи / з-п-перехода при прохождении прямого тока ухудшает свойства диода как элемента импульсных схем, так что для работы в импульсных схемах применяют специально изготовленные импульсные диоды. Импульсные диоды должны иметь возможно меньшую площадь р-п-перехода. Поэтому одним из наиболее распространенных типов импульсных диодов являются так называемые точечные диоды. [61]
Однако в лавинных вентилях обратный ток по площади р-п перехода распределяется равномернее, чем в обычных вентилях, и поэтому в таких вентилях может выделяться значительно ( в тысячи раз) большая энергия. Эта энергия примерно равна той, которую вентиль способен рассеивать при прохождении прямого тока. [62]
При диффузионном методе примеси более плавно ( по сравнению со сплавной технологией) распределяются по поверхности полупроводника, чем обеспечивается однородность электронно-дырочного перехода. Это позволяет повысить величину допустимого обратного напряжения, исключает возможность местных перегревов при прохождении прямого тока и вентили имеют меньший технологический разброс электрических параметров. [63]