Процесс - образование - скрытое изображение
Cтраница 1
 |
Зависимость числа кристаллов в фотоэмульсии от площади их сечения для малочувствительных ( а и высокочувствительных ( б эмульсий. [1] |
Процесс образования скрытого изображения достаточно сложен, и мы не будем его здесь рассматривать. Заметим лишь, что в своей начальной фазе он является фотоэлектрическим, а в результате этого процесса в некоторых местах кристаллов AgBr, так называемых центрах чувствительности), локализуются атомы металлического серебра. Схематически процесс образования скрытого изображения можно представить в виде AgBr - j - hv - - Ag - f - Br. Чем больше фотонов с энергией hv поглотится данным микрокрпсталлом бромистого серебра, тем больше атомов металлического серебра образуется в центре чувствительности кристалла. [2]
 |
Микрофотография мелкозернистого и крупнозернистого фотослоев. [3] |
В основе процесса образования скрытого изображения в кристаллах галогенного серебра, так же как и в кристаллах галогено-щелочных солей, лежит фотохимическая реакция. [4]
Прежде всего будет рассмотрен процесс образования скрытого изображения в химически несенсибилизированных микрокристаллах. [5]
Имея в виду, что скорость процесса образования скрытого изображения при обычных температурах определяется скоростью процесса диффузии ионов серебра в решетке, можно думать, что закон взаимозаменяемости для видимых лучей будет соблюдаться в тех случаях, когда время между двумя попаданиями световых квантов окажется не меньше 2 - 10 - 4 сек. [6]
Такая детализация была совершенно необходима, поскольку процесс образования скрытого изображения значительно более сложен, чем это казалось в период появления указанной теории. Основные работы в этом направлении были проведены в последние годы. В этот период ясно обнаружилась необходимость детального изучения реальных кристаллов галоидного серебра. [7]
В этом параграфе будут рассмотрены различные стороны процесса образования скрытого изображения при комнатной температуре. Мы принимаем, что в кристаллической решетке одновременно присутствуют междуузельные ионы серебра, вакантные галоидные и вакантные серебряные узлы, причем равновесная концентрация вакантных галоидных узлов значительно меньше, чем концентрация двух других дефектов. Этот материал будет изложен в виде ряда положений. [8]
Предполагалось, что процесс химического проявления аналогичен процессу образования скрытого изображения; электроны передаются от молекул проявляющего вещества к скрытому изображению. После этого междуузельные ионы серебра из объема кристалла притягиваются заряженным центром, так что из эмульсионного микрокристалла выталкивается массивная нить серебра. Расход междуузельных ионов серебра компенсируется постепенным растворением поверхности, в результате которого отрицательные ионы уходят в проявляющий раствор, а ионы серебра - в эмульсионный микрокристалл. [9]
Температурная зависимость светочувствительности служила одной из основных причин для деления процесса образования скрытого изображения на две стадии - электронную стадию, не зависящую от температуры, и ионную стадию, зависящую от нее. Несмотря на то, что в результате наших опытов эта причина отчасти потеряла свою силу, имеется еще достаточное количество других данных, указывающих на существование этих двух стадий. Особенно трудно объяснить исчезновение отклонения взаимо-заместимости при низкой температуре. Далее, на движение ионов серебра в решетке указывают опыты Цименса [37] по радиоактивному обмену ионами серебра между раствором азотнокислого серебра и фотографической эмульсией. [10]
Экспериментальные данные, изложенные в предыдущих параграфах, позволяют дать формальную интерпретацию процесса образования скрытого изображения, которая несколько отличается от существующих представлений. Наше толкование следует рассматривать только как предварительную попытку, поскольку мы даем себе ясный отчет в том, что не все элементы процесса доказаны экспериментально. [11]
Мы считаем, что экспериментальные данные, приведенные в этой статье, показывают, что одна часть процесса образования скрытого изображения - регрессия - не зависит от акцептирования брома. Этот вывод относится к жидкой системе, в которой необходимый уровень акцептирования брома обеспечивается окружающей водой. [12]
Тот факт, что полное внутреннее или глубинное скрытое изображение десенсибилизируется в той же степени, что и поверхностное, также доказывает, что Десенсибилизатор не действует непосредственно на центры светочувствительности, а функционирует во время первой стадии процесса образования скрытого изображения, когда фотоэлектроны мигрируют по решетке в поисках достаточно глубокой ловушки. Таким образом, основной функцией десенсибилизатора является его окислительное действие. [13]
Ионно-чувствительная пластина AgBr - химический усилитель, действие которого основано на электронном взаимодействии между падающими ионами и зернами AgBr. Процесс образования скрытого изображения на безжелатинных пластинах можно трактовать как передачу энергии от ионов зерну в зависимости от энергии иона Е, массы MI и атомного номера ZL Отклик промышленных низкожелатинных пластин по отношению к энергии и массе ионов значительно более сложен и труден для оценки, особенно потому, что толщина и структура желатинного покрытия чрезвычайно неоднородна. Ухудшение предела обнаружения следов элементов может быть вызвано также вторичным почернением, связанным с наличием желатины. Очевидно, что чувствительность и однородность выпускаемых промышленностью пластин можно значительно улучшить, если удалить верхний слой желатины. Можно ожидать, что будут разработаны новые методы, значительно повышающие чувствительность и точность количественных определений, например, при помощи электронного многоканального считывающего устройства, которое передает информацию об интенсивности ионов непосредственно на компьютер. [14]
Это приводит к тому, что в галогенидах серебра осуществляется только единственный электронно-дырочный механизм переноса энергии. Указанная особенность миграции энергии позволяет рассмотреть процесс образования скрытого изображения под действием ионизующих частиц по аналогии с действием света. [15]
Страницы: 1 2